[发明专利]一种具有高发光效率的QLED器件及其制备方法

权利要求书

1.一种具有高发光效率的QLED器件的制备方法，其特征在于，包括步骤：

A、沉积一复合空穴注入层于ITO基板上；其中，所述复合空穴注入层由金属纳米颗粒分散于空穴注入层中搅拌均匀而制成；

B、沉积一空穴传输层于复合空穴注入层上；

C、沉积一量子点发光层于空穴传输层上；

D、依次沉积一电子传输层和一电子注入层于量子点发光层上，最后蒸镀一阴极于电子注入层上，制得QLED器件。

2.根据权利要求1所述的具有高发光效率的QLED器件的制备方法，其特征在于，所述步骤A之前包括：采用氧气等离子体或紫外-臭氧处理ITO基板表面。

3.根据权利要求1所述的具有高发光效率的QLED器件的制备方法，其特征在于，所述金属纳米颗粒为Au纳米颗粒、Ag纳米颗粒或Cu纳米颗粒。

4.根据权利要求1所述的具有高发光效率的QLED器件的制备方法，其特征在于，所述步骤A中，所述复合空穴注入层由质量百分比为0.1%~10%的金属纳米颗粒分散于空穴注入层中搅拌均匀而制成。

5.根据权利要求3所述的具有高发光效率的QLED器件的制备方法，其特征在于，所述Au纳米颗粒的制备方法包括步骤：

A1：分别将Na₃C₆H₅O₇和HAuCl₄配制成浓度为0.01g/mLNa₃C₆H₅O₇水溶液和浓度为0.01g/mLHAuCl₄水溶液;

A2：然后用移液管将1mL的HAuCl₄水溶液加入100mL的容量瓶，向所述容量瓶加去离子水稀释到刻度线，并将稀释后HAuCl₄溶液均匀搅拌；

A3：将搅拌后HAuCl₄溶液加热，待沸腾后逐滴向容量瓶中滴加总量为1mL的Na₃C₆H₅O₇水溶液反应并继续保持加热，反应15分钟后让容量瓶中的溶液自然冷却；

A4：将冷却后的溶液洗涤离心后备用。

6.根据权利要求1所述的具有高发光效率的QLED器件的制备方法，其特征在于，用于制备所述复合空穴注入层的空穴注入层的材料为PEDOT：PSS，所述复合空穴注入层的厚度为0~100nm。

7.根据权利要求1所述的具有高发光效率的QLED器件的制备方法，其特征在于，所述空穴传输层的材料为Poly-TPD、PVK中的一种或两种，所述空穴传输层的厚度为大于或等于10nm。

8.根据权利要求1所述的具有高发光效率的QLED器件的制备方法，其特征在于，所述量子点发光层的厚度为10~100nm。

9.根据权利要求1所述的具有高发光效率的QLED器件的制备方法，其特征在于，所述电子传输层的材料为n型氧化锌。

10.一种QLED器件，其特征在于，所述QLED器件引用如权利要求1-9任一所述的具有高发光效率的QLED器件的制备方法制备而成。