[发明专利]一种具有高发光效率的QLED器件及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种具有高发光效率的QLED器件及其制备方法。

背景技术

量子点发光二极管（QLED）因具备高亮度、低功耗、广色域、易加工等诸多优点近年来在照明和显示领域获得了广泛的关注与研究。经过多年的发展，QLED技术获得了巨大的发展。从公开报道的文献资料来看，目前最高的红色和绿色QLED的外量子效率已经超过或者接近20%，表明红绿QLED的内量子效率实际上已经接近100%的极限。然而，目前高效的QLED所用的量子点多数都含有重金属铬，铬这种元素毒性较强，对人体伤害很大，如何避免铬在QLED中的使用是一项重大的研究课题。另外，上述高效红绿QLED器件均是基于小面积旋涂成膜工艺获得的，在大面积实用化生产的过程中如何避免效率的损失是一个十分严峻的挑战。与此同时，作为高性能全彩显示不可或缺的蓝色QLED目前不论是在电光转换效率还是在使用寿命上都远低于红绿QLED，从而限制了QLED在全彩显示方面的应用。再者，从国际上各研究机构和相关公司公布的数据来看，目前很难做到QLED的性能有很好的重复性，这就导致了QLED的大规模实用化生产还有很多的问题需要解决。

因此，现有技术还有待于改进和发展。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种具有高发光效率的QLED器件及其制备方法，旨在解决现有QLED器件发光效率较低、性能重复性低及难以大规模实用化生产的问题。

本发明的技术方案如下：

一种具有高发光效率的QLED器件的制备方法，其中，包括步骤：

A、沉积一复合空穴注入层于ITO基板上；其中，所述复合空穴注入层由金属纳米颗粒分散于空穴注入层中搅拌均匀而制成；

B、沉积一空穴传输层于复合空穴注入层上；

C、沉积一量子点发光层于空穴传输层上；

D、依次沉积一电子传输层和一电子注入层于量子点发光层上，最后蒸镀一阴极于电子注入层上，制得QLED器件。

所述的具有高发光效率的QLED器件的制备方法，其中，所述步骤A之前包括：采用氧气等离子体或紫外-臭氧处理ITO基板表面。

所述的具有高发光效率的QLED器件的制备方法，其中，所述金属纳米颗粒为Au纳米颗粒、Ag纳米颗粒或Cu纳米颗粒。

所述的具有高发光效率的QLED器件的制备方法，其中，所述步骤A中，所述复合空穴注入层由质量百分比为0.1%~10%的金属纳米颗粒分散于空穴注入层中搅拌均匀而制成。

所述的具有高发光效率的QLED器件的制备方法，其中，所述Au纳米颗粒的制备方法包括步骤：

A1：分别将Na₃C₆H₅O₇和HAuCl₄配制成浓度为0.01g/mLNa₃C₆H₅O₇水溶液和浓度为0.01g/mLHAuCl₄水溶液;

A2：然后用移液管将1mL的HAuCl₄水溶液加入100mL的容量瓶，向所述容量瓶加去离子水稀释到刻度线，并将稀释后HAuCl₄溶液均匀搅拌；

A3：将搅拌后HAuCl₄溶液加热，待沸腾后逐滴向容量瓶中滴加总量为1mL的Na₃C₆H₅O₇水溶液反应并继续保持加热，反应15分钟后让容量瓶中的溶液自然冷却；

A4：将冷却后的溶液洗涤离心后备用。

所述的具有高发光效率的QLED器件的制备方法，其中，用于制备所述复合空穴注入层的空穴注入层的材料为PEDOT：PSS，所述复合空穴注入层的厚度为0~100nm。

所述的具有高发光效率的QLED器件的制备方法，其中，所述空穴传输层的材料为Poly-TPD、PVK中的一种或两种，所述空穴传输层的厚度为大于或等于10nm。

所述的具有高发光效率的QLED器件的制备方法，其中，所述量子点发光层的厚度为10~100nm。

所述的具有高发光效率的QLED器件的制备方法，其中，所述电子传输层的材料为n型氧化锌。

一种QLED器件，其中，所述QLED器件引用如上任一所述的具有高发光效率的QLED器件的制备方法制备而成。