[发明专利]一种直接生长法合成CdSe/P3HT复合纳米晶的方法在审
| 申请号： | 201510555371.0 | 申请日： | 2015-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN105200523A | 公开（公告）日： | 2015-12-30 |
| 发明（设计）人： | 吴瑞凤;施和平 | 申请（专利权）人： | 内蒙古工业大学 |
| 主分类号： | C30B29/60 | 分类号： | C30B29/60;C30B29/54 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 010051 内蒙古*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 接生 长法 合成 cdse p3ht 复合 纳米 方法 | ||
1.一种直接生长法合成CdSe/P3HT复合纳米晶的方法，其特征在于，包括以下几个步骤：
1)、将聚合物P3HT6重量份，Se粉79～395重量份，硬脂酸镉340～680重量份，三氯苯1体积份，ODE15体积份，倒入反应釜中充分搅拌，在140～240℃下反应5～25h；
其中，重量份和体积份的对应关系为：1克重量对应1升体积；
2)、冷却，加入丙酮洗涤，沉淀，离心，3000r的条件下，离心分离5～10分钟，弃去上清液，将沉淀用过量正己烷溶解，洗涤干燥后即得所述的CdSe/P3HT复合纳米晶。
2.如权利要求1所述的一种直接生长法合成CdSe/P3HT复合纳米晶的方法，其特征在于，所述硬脂酸镉与Se粉的摩尔比为1∶1。
3.如权利要求1所述的一种直接生长法合成CdSe/P3HT复合纳米晶的方法，其特征在于，所述步骤1)中的反应温度为180℃。
4.如权利要求1所述的一种直接生长法合成CdSe/P3HT复合纳米晶的方法，其特征在于，所述步骤1)中的反应时间为15h。
5.如权利要求1所述的一种直接生长法合成CdSe/P3HT复合纳米晶的方法，其特征在于，所述步骤2)中的清洗方式是超声清洗20分钟。
6.如权利要求1所述的一种直接生长法合成CdSe/P3HT复合纳米晶的方法，其特征在于，所述CdSe超结构杂化纳米晶尺寸为5～20nm。
7.如权利要求1所述的一种直接生长法合成CdSe/P3HT复合纳米晶的方法，其特征在于，所述CdSe超结构杂化纳米晶尺寸为5.3nm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于内蒙古工业大学，未经内蒙古工业大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510555371.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
