[发明专利]半导体封装结构及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：基底(100)，所述基底的功能面为第一表面，与其相对的另一面为第二表面；所述第一表面上设置有绝缘层(102)、元件区(103)及元件区周围的若干导电焊垫(101)；所述第二表面上设有重布线层(130)，所述重布线层包括铜金属层，所述铜金属层与所述导电焊垫电连接；所述重布线层上设有电连接所述铜金属层的铜芯焊料球(150)。

2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于：所述第二表面上与所述导电焊垫相对的位置形成第一开口(110)，所述第一开口暴露所述导电焊垫；所述重布线层穿过所述第一开口电连接所述导电焊垫；所述重布线层与所述基底之间设有钝化层(120)；所述重布线层上设有保护层(140)，所述保护层上预留有植所述铜芯焊料球的第二开口。

3.根据权利要求2所述的半导体封装结构，其特征在于：所述第一开口为贯通所述第一表面和所述第二表面的直通孔。

4.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于：所述重布线层为两层金属，第一层为钽金属层或钛金属层，第二层为铜金属层。

5.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于：所述重布线层为三层金属，第一层为钛金属层或钽金属层，第二层为铜金属层，第三层为铜金属层。

6.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于：所述铜芯焊料球包括位于中心处的铜芯和包覆在所述铜芯外的锡壳或锡银合金壳，且所述铜芯的径向尺寸大于所述锡壳或锡银合金壳的径向尺寸。

7.一种半导体封装结构的制作方法，其特征在于，包括：

步骤1.提供一基底，所述基底的功能面为第一表面，与其相对的另一面为第二表面；所述第一表面上设置有绝缘层、一元件区及元件区周围的若干导电焊垫；

步骤2.在所述第二表面上与所述导电焊垫相对的位置形成自所述第二表面向所述第一表面延伸的第一开口，所述第一开口暴露所述导电焊垫；

步骤3.在所述第二表面及所述第一开口内铺设一层钝化层；

步骤4.去除所述第一开口底部的钝化层，再次暴露所述导电焊垫；

步骤5.在所述基底的第二表面、第一开口的侧壁及底部内形成重布线层，所述重布线层包括铜金属层，所述铜金属层与所述导电焊垫电连接；

步骤6.在所述重布线层上覆盖一层保护层，所述保护层上预留有植球的第二开口，该第二开口暴露所述重布线层的铜金属层；

步骤7.在保护层上预留的开口内植电连接所述铜金属层的铜芯焊料球。

8.根据权利要求7所述的半导体封装结构的制作方法，其特征在于，所述重布线层的形成方式为：先通过直接物理气相沉积钛金属层或钽金属层后，再沉积铜金属层，或者先通过物理气相沉积钛金属层或钽金属层、再沉积铜金属层，再电镀铜。

9.根据权利要求7所述的半导体封装结构的制作方法，其特征在于，所述钝化层的材质为高分子材料时，其铺设方法为旋涂或喷涂方式；所述钝化层的材质为无机材料时，其铺设方法为PECVD或热氧化方法。

10.根据权利要求7所述的半导体封装结构的制作方法，其特征在于，在步骤4中，再次暴露导电焊垫的方法为干法蚀刻或激光烧蚀。