[发明专利]具有双功函数栅极结构的半导体器件有效
| 申请号： | 201510557163.4 | 申请日： | 2015-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN105702730B | 公开（公告）日： | 2020-09-08 |
| 发明（设计）人： | 吴泰京;李振烈;金银贞;金东洙 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 函数 栅极 结构 半导体器件 | ||
1.一种半导体器件，包括：
衬底，沟槽形成在衬底中；
第一杂质区和第二杂质区，形成在衬底中，通过沟槽彼此分开；
栅电极，形成为填充沟槽的下部；以及
覆盖层，形成在栅电极之上以填充沟槽的上部，
其中，栅电极包括：
第一功函数内衬，形成在沟槽的下部的底表面和侧壁之上，与第一杂质区和第二杂质区不重叠，且包括氮化钛铝；以及
第二功函数内衬，形成在沟槽的下部的在第一功函数内衬之上的侧壁之上，与第一杂质区和第二杂质区重叠，且包括含硅非金属材料。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，第一功函数内衬具有比第二功函数内衬大的功函数。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，第一功函数内衬具有比硅的中间禁带功函数大的高功函数，第二功函数内衬具有比硅的中间禁带功函数低的低功函数。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，第二功函数内衬包括N型杂质掺杂多晶硅。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，栅电极还包括：
第一低电阻率电极，部分地填充沟槽的在第一功函数内衬之上的下部；以及
第二低电阻率电极，形成在第一低电阻率电极之上以填充沟槽的在第二功函数内衬之上的剩余的下部。
6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，第二低电阻率电极是对第二功函数内衬不反应的材料。
7.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，第一低电阻率电极包括无氟材料且与第二功函数内衬不反应。
8.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，第二低电阻率电极包括对第二功函数内衬反应的材料，第一低电阻率电极包括无氟材料且与第二功函数内衬不反应。
9.根据权利要求5所述的半导体器件，还包括：
鳍状区，形成在其中形成有第一低电阻率电极的沟槽之下。
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