[发明专利]掩模框架组件和制造该掩模框架组件的方法有效

专利信息
申请号: 201510557180.8 申请日: 2015-09-03
公开(公告)号: CN105720213B 公开(公告)日: 2020-03-20
发明(设计)人: 金柾勋;吴允灿;金暲祐;卢熙锡;朴封俊;安太龙;张大植;郑哲珪;洪宰敏 申请(专利权)人: 三星显示有限公司
主分类号: H01L51/56 分类号: H01L51/56;G03F1/00
代理公司: 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 代理人: 刘钊;周艳玲
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 框架 组件 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种掩模框架组件,包括:

框架;和

在室温下在第一方向上延伸并被联接到所述框架的掩模,并且

其中所述掩模包括具有图案孔的图案部分和形状记忆合金部分,

其中所述形状记忆合金部分被配置为在沉积温度下在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸,所述形状记忆合金部分在所述室温下不在所述第二方向上延伸。

2.根据权利要求1所述的掩模框架组件,其中所述掩模包括多个图案部分和多个形状记忆合金部分。

3.根据权利要求2所述的掩模框架组件,其中所述多个形状记忆合金部分位于所述多个图案部分中的相邻图案部分之间。

4.根据权利要求1所述的掩模框架组件,其中所述室温在20℃与25℃之间,并且所述沉积温度在40℃与80℃之间。

5.根据权利要求1所述的掩模框架组件,其中所述形状记忆合金部分包括镍-钛合金材料。

6.一种制造掩模框架组件的方法,该方法包括:

在掩模上形成具有图案孔的掩模部分和形状记忆合金部分,所述形状记忆合金部分在沉积温度下在第一方向上延伸并且在室温下不在所述第一方向上延伸;和

通过使所述掩模在所述室温下在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸将所述掩模联接到框架。

7.根据权利要求6所述的方法,其中多个图案部分和多个形状记忆合金部分以交替图案被形成在所述掩模上。

8.根据权利要求6所述的方法,其中所述室温在20℃与25℃之间,并且所述沉积温度在40℃与80℃之间。

9.根据权利要求6所述的方法,其中所述形状记忆合金部分包括镍-钛合金材料。

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