[发明专利]掩模框架组件和制造该掩模框架组件的方法

说明书

一种掩模框架组件包括框架和掩模，掩模包括具有图案孔的图案部分和形状记忆合金部分。一种制造掩模框架组件的方法包括：在掩模上形成具有图案孔的掩模部分和形状记忆合金部分，形状记忆合金部分在沉积温度下在第一方向上延伸；以及通过使掩模在室温下在垂直于第一方向的第二方向上延伸将掩模联接到框架。

相关申请的交叉引用

本申请要求2014年12月16日递交到韩国知识产权局的韩国专利申请10-2014-0181616号的优先权和权益，其公开通过引用整体合并于此。

技术领域

一个或多个示例性实施例涉及在薄膜的沉积中使用的掩模框架组件和制造该掩模框架组件的方法。

背景技术

通常，有机发光显示装置是随着注入到阳极和阴极的空穴和电子在发射层中重组而形成图像的显示装置，并具有其中发射层被插入在阳极和阴极之间的堆叠层状结构。然而，难以获得高效率发射，因此电子注入层、电子传输层、空穴传输层或空穴注入层等被选择性地添加为中间层，和发射层一起在两个电极之间。

有机发光显示装置的电极和中间层可以使用包括沉积法的各种方法来形成。当通过使用沉积法制造有机发光显示装置时，具有与待被形成的薄膜的图案相同的图案的掩模框架被对准在基底上，薄膜的原料通过掩模框架组件被沉积在基底上，以形成具有期望图案的薄膜。

发明内容

一个或多个示例性实施例包括掩模框架组件和制造该掩模框架组件的方法。

然而，本文中描述的一个或多个实施例仅仅是示例，本发明的范围不限于此。

另外的方面将部分在随后的描述中提出，部分通过描述将是明显的，或者可以通过对提出的实施例的实践来获知。

根据一个或多个示例性实施例，一种掩模框架组件包括：框架和在室温下在第一方向上延伸并被联接到框架的掩模，其中掩模包括具有图案孔的图案部分和在沉积温度下延伸的形状记忆合金部分。

形状记忆合金部分可以在沉积温度下在垂直于第一方向的第二方向上延伸。

掩模可以包括多个图案部分和多个形状记忆合金部分。

多个形状记忆合金部分可以位于多个图案部分中的相邻图案部分之间。

室温可以在约20℃与约25℃之间，并且沉积温度可以在约40℃与约80℃之间。

形状记忆合金部分可以包括镍-钛合金材料。

根据一个或多个示例性实施例，一种制造掩模框架组件的方法包括：在掩模上形成具有图案孔的图案部分和形状记忆合金部分，形状记忆合金部分在沉积温度下在第一方向上延伸；以及通过使掩模在室温下在垂直于第一方向的第二方向上延伸将掩模联接到框架。

多个图案部分和多个形状记忆合金部分可以以交替图案被形成在掩模上。

室温可以在约20℃与约25℃之间，并且沉积温度可以在约40℃与约80℃之间。

形状记忆合金部分可以包括镍-钛合金材料。

附图说明

从下述结合附图对示例性实施例的描述，这些和/或其它方面将变得明显和更易于理解，附图中：

图1是使用根据本发明的实施例的掩模框架组件进行沉积操作的示意图；

图2是图1的掩模框架组件的分解透视图；

图3是示出了将图2所示的掩模框架组件的掩模联接到框架的操作的平面图；

图4是示出了图3的掩模由于在沉积温度下形状记忆合金部分的变形被平坦化的操作的平面图；