[发明专利]用于制作发光二极管的光刻曝光方法

权利要求书

1.一种用于制作发光二极管的光刻曝光方法，其特征在于，包括：

在Wafer表面涂覆一层光刻胶，所述光刻胶的厚度为2.7um至3.1um；

采用热板软烤的方式对涂有所述光刻胶的Wafer进行软烤，软烤的温度为100℃至105℃，软烤时间为90秒至120秒；

依据总曝光能量确定分步曝光的曝光能量、曝光时间和曝光光强，其中，总曝光能量为E，每次曝光的所述曝光能量为E1、E2、......、En-1、En，E＝E1+E2+…+En-1+En，每次曝光的所述曝光时间为T1、T2、......、Tn-1、Tn，每次曝光的所述曝光光强为Q1、Q2、......Qn-1、Qn，n为大于或等于2的正整数；每次曝光的曝光能量等于其对应的曝光光强与曝光时间的乘积，即E1＝Q1*T1、E2＝Q2*T2......、En-1＝Qn-1*Tn-1、En＝Qn*Tn；n为大于或等于2的正整数；

按照曝光时间T1，曝光光强Q1，曝光能量E1进行第一次曝光；

在第一次曝光完成3秒至5秒之后，按照曝光时间T2，曝光光强Q2，曝光能量E2进行第二次曝光；

直至在第n-1次曝光完成3秒至5秒后，按照曝光时间Tn，曝光光强Qn，曝光能量En进行第n次曝光，相邻的两次曝光之间的时间间隔为3秒至5秒；

每次曝光的所述曝光能量等于其对应的所述曝光光强与所述曝光时间的乘积，其中，

每次曝光的所述曝光时间相等，每次曝光的所述曝光光强不相等；

或者，每次曝光的所述曝光时间相等，每次曝光的所述曝光光强相等；

或者，每次曝光的所述曝光时间不相等，每次曝光的所述曝光光强相等；

或者，每次曝光的所述曝光时间不相等，每次曝光的所述曝光光强不相等。