[发明专利]用于制作发光二极管的光刻曝光方法

说明书

技术领域

本申请涉及发光二极管的制作，更具体地，涉及一种用于制作发光二极管的光刻曝光方法。

背景技术

发光二极管(Light～Emitting Diode，简称LED)是一种将电能转化为光能的半导体电子器件。这种电子元件早在1962年出现，早期只能发出低光度的红光，之后发展出其他单色光的版本，时至今日能发出的光已遍及可见光、红外线及紫外线，光度也提高到相当的光度。随着技术的不断进步，用途也由初时作为指示灯、显示板等发展为被广泛地应用于显示器、电视机采光装饰和照明。

目前LED光刻的制作工序主要有匀胶、软烤、曝光、硬烤、显影等五步。光刻胶又称光致抗蚀剂，由感光树脂、增感剂和溶剂三种主要成分组成的对光敏感的混合液体。根据其化学反应机理和曝光原理，光刻胶可分负性胶和正性胶两类。光照后形成不可溶物质的是负性胶；反之，对某些溶剂是不可溶的，经光照后变成可溶物质的即为正性胶。LED电极的制作过程中一般使用负性胶做光刻，将光刻胶涂布在外延片上，制作工序包括：1)负胶做光刻；2)真空蒸镀金属；3)剥离去胶。

现有光刻曝光方法一般采用一次性曝光，如图1所示，负胶光刻后的图形底部形貌会明显往里面凹进去。这首先会导致剥离去胶时会残留有一定比例的胶丝；其次蒸镀出来的梯形状电极底部比顶部宽很多，这会降低LED亮度。

有鉴于此，本发明提供一种新的用于制作发光二极管的光刻曝光方法以解决上述问题。

发明内容

本申请的用于制作发光二极管的光刻曝光方法包括：匀胶；软烤；以及依据总曝光能量确定分步曝光的曝光能量、曝光时间和曝光光强，用以进行所述分步曝光；其中，总曝光能量为E，每次曝光的所述曝光能量为E1、E2、......、En-1、En，E＝E1+E2+…+En-1+En，每次曝光的所述曝光时间为T1、T2、......、Tn-1、Tn，每次曝光的所述曝光光强为Q1、Q2、......Qn-1、Qn，n为大于或等于2的正整数。

优选地，每次曝光的所述曝光能量等于其对应的所述曝光光强与所述曝光时间的乘积。

优选地，每次曝光的所述曝光时间相等。

优选地，每次曝光的所述曝光光强相等。

优选地，每次曝光的所述曝光时间不相等。

优选地，每次曝光的所述曝光光强不相等。

优选地，相邻的两次曝光之间的时间间隔为3～5秒。

优选地，所述匀胶的步骤包括：涂覆一层光刻胶，其中所述光刻胶的厚度为2.7um～3.1um。

优选地，所述软烤的步骤包括：利用热板进行所述软烤。

优选地，软烤温度为100℃～105℃，软烤时间90秒～120秒。

本发明提出的光刻曝光方法与现有的光刻曝光方法相比，具有以下优点：

1)解决剥离去胶胶丝残留的问题。

通过将曝光能量E分成n个步骤进行曝光，每次曝光后间隔3—5秒再进行下一次曝光，使得光刻后的图形形貌底部不会往里面凹进去，真空蒸镀金属电极后，剥离去胶不会有胶丝残留。

2)提高LED的亮度。

采用分步曝光方法的光刻图形形貌平滑，真空蒸镀出来的梯形电极形状底面宽度和顶部宽度接近，LED的发给效率比传统一次性曝光方法高3％以上。

当然，实施本申请的任一产品必不一定需要同时达到以上所述的所有技术效果。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解，构成本申请的一部分，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：

图1为利用传统一次性光刻曝光方法所曝光后的光刻图形底部形貌的示意图；

图2为本申请一实施例的用于制作发光二极管的光刻曝光方法的流程示意图；

图3为利用本发明光刻曝光方法所曝光后的光刻图形底部形貌的示意图；

图4为依据传统一次性曝光方法所光刻的图形的扫描电镜图；

图5为依据本发明光刻曝光方法所光刻的图形的扫描电镜图；

图6为依据传统一次性曝光方法所蒸镀电极后的扫描电镜图；

图7为依据本发明光刻曝光方法所蒸镀电极后的扫描电镜图。

具体实施方式