[发明专利]一种新型三模式造影剂及其制备方法

权利要求书

1.一种超声/核磁/CT三模式造影剂，其特征在于，所述造影剂包括：中空介孔氧化硅外壳、位于中空所述介孔氧化硅外壳的空腔中的作为内核的第一金纳米颗粒、以及均匀分散于所述中空介孔氧化硅外壳的壳层中的第二金纳米颗粒和MnO纳米颗粒。

2.根据权利要求1所述的超声/核磁/CT三模式造影剂，其特征在于，所述中空介孔氧化硅外壳的外径为350～450nm，内径为200～300nm，介孔孔径为25～35nm。

3.根据权利要求1或2所述的超声/核磁/CT三模式造影剂，其特征在于，所述第一金纳米颗粒的粒径为40～60nm，所述第二金纳米颗粒的粒径为2～8nm，所述MnO纳米颗粒的粒径为0.5～3nm。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的超声/核磁/CT三模式造影剂，其特征在于，所述MnO纳米颗粒是顺磁性的。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的超声/核磁/CT三模式造影剂，其特征在于，所述造影剂还包括修饰于所述中空介孔氧化硅外壳表面的聚乙烯亚胺。

6.一种权利要求1至5中任一项所述的超声/核磁/CT三模式造影剂的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

A）将氨基功能化的中空介孔氧化硅纳米颗粒分散于氯金酸溶液中进行水热反应，以制得产物A，所述产物A具有在所述中空介孔氧化硅的空腔中产生作为内核的第一金纳米颗粒，以及同时在所述中空介孔氧化硅的壳层中均匀分散的第二金纳米颗粒；

B）将产物A分散于高锰酸钾溶液中进行氧化还原反应，以进一步在产物A的中空介孔氧化硅的壳层中均匀分散锰氧化物，并在还原气氛下还原，从而制得所述超声/核磁/CT三模式造影剂。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，步骤A）中，氯金酸溶液的浓度为0.0125～0.05M，氯金酸与中空介孔氧化硅纳米颗粒的质量比为1：（2～4），水热反应温度为75～85℃，水热反应时间为40～120分钟。

8.根据权利要求6或7所述的制备方法，其特征在于，步骤B）中，高锰酸钾溶液的浓度为1.5M以下，所述氧化还原反应的反应温度为室温～60℃，反应时间为1～24小时；还原气氛为氢气、或氢气和氩气的混合气，还原气氛下还原的反应温度为600℃以上，反应时间为2小时以上。

9.根据权利要求6至8中任一项所述的制备方法，其特征在于，还包括步骤C）将所述超声/核磁/CT三模式造影剂分散于聚乙烯亚胺溶液中，室温搅拌吸附，制备出聚乙烯亚胺改性的超声/核磁/CT三模式造影剂。

10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，步骤C）中，聚乙烯亚胺浓度为20mg/ml～2g/ml，分子量为650～12500。