[发明专利]一种双异质结PIN电光调制器结构

权利要求书

1.一种双异质结PIN电光调制器结构，其特征在于，包括有N-Sub型衬底(8)，所述N-Sub型衬底(8)的上部设置有SiO₂埋层(7)，所述SiO₂埋层(7)上部的两侧分别设置有P+阱区(1)、N+阱区(3)，所述P+阱区(1)、N+阱区(3)之间设置有本征N型锗硅调制区(2)，所述P+阱区(1)的上部设置有第一电极(4)，所述N+阱区(3)的上部设置有第二电极(5)，所述第一电极(4)、本征N型锗硅调制区(2)及第二电极(5)的上部覆盖有SiO₂覆盖层(6)；

所述P+阱区(1)的掺杂浓度为1×10¹⁹cm^-3～1×10²⁰cm^-3，掺杂剂为B离子；所述P+阱区(1)的高度为0.17μm，宽度为0.1μm～1μm；

所述N+阱区(3)的掺杂浓度为1×10¹⁹cm^-3～1×10²⁰cm^-3，掺杂剂为P离子；所述N+阱区(3)的高度为0.17μm，宽度为0.1μm～1μm；

所述本征N型锗硅调制区(2)采用锗硅材料制成，其掺杂浓度为1×10¹⁵cm^-3，掺杂剂为P离子；

所述本征N型锗硅调制区(2)的中心高度为0.22μm，两侧高度为0.17μm，上部宽度为0.4μm～0.6μm，下部宽度为1μm～1.8μm；

所述SiO₂覆盖层(6)的高度为0.5μm～1μm，宽度为1.2μm～3.8μm；

所述SiO₂埋层(7)的高度为0.5μm～1μm，宽度为1.2μm～3.8μm；

所述N-Sub型衬底(8)的掺杂浓度为1×10¹³cm^-3～1×10¹⁵cm^-3，掺杂剂为P离子；

所述N-Sub型衬底(8)的高度为100μm～300μm，宽度为1.2μm～3.8μm。