[发明专利]显示基板及其制作方法、显示装置在审
申请号: | 201510564816.1 | 申请日: | 2015-09-07 |
公开(公告)号: | CN105206646A | 公开(公告)日: | 2015-12-30 |
发明(设计)人: | 胡月;刘则 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/02 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;黄灿 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 及其 制作方法 显示装置 | ||
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别是涉及一种显示基板及其制作方法、显示装置。
背景技术
目前,在有源矩阵有机发光二极管(ActiveMatrix/OrganicLightEmittingDiode,缩写为AMOLED)显示器件中,其阵列基板的结构参见图1所示,其中1为阵列基板的衬底基板;2为栅电极;3为有源层;4为源电极;5为漏电极;6为无机绝缘层;7为平坦层;8为像素界定层(PixelDefineLayer,PDL);9为阳极,包括透明导电材料和金属银;10为栅绝缘层;11为有机发光层;12为阴极。
现有技术中,平坦层7通常采用有机材料,如:有机树脂,有机材料加工工艺简单,并且可以提供较平坦的表面。无机绝缘层6的材料通常采用SiOx或SiNx,SiOx或SiNx可以与有机材料产生氢键,增大吸附性。但是有机材料与透明导电材料吸附性较差,容易导致平坦层7和阳极9发生脱离。
发明内容
本发明提供一种显示基板及其制作方法,用以解决显示基板上的平坦层与透明导电层吸附性差,容易导致两者发生脱离的问题。
本发明还提供一种显示装置,采用上述的显示基板,用以提高产品的良率和品质。
为解决上述技术问题,本发明实施例中提供一种显示基板,包括平坦层,用于提供平坦的表面,所述平坦层的材料包括有机硅,用以增加所述平坦层与有机材料薄膜和无机材料薄膜的粘附性。
本发明实施例中还提供一种显示基板的制作方法,包括形成平坦层的步骤,所述平坦层用于提供平坦的表面,所述形成平坦层的步骤包括:
制备用于形成所述平坦层的有机硅;
通过成膜工艺,形成有机硅薄膜;
固化所述有机硅薄膜,形成所述平坦层。
本发明实施例中还提供一种显示装置,包括如上所述的显示基板。
本发明的上述技术方案的有益效果如下:
上述技术方案中,显示基板的平坦层由包括有机硅的材料制得,由于有机硅兼具有有机材料和无机材料的性能,能够增加平坦层与有机材料薄膜和无机材料薄膜的粘附性,防止平坦层与相邻薄膜的界面发生脱离,保证显示基板的性能,提高产品品质。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1表示本发明实施例中有源矩阵有机发光二极管阵列基板的结构示意图;
图2表示本发明实施例中有源矩阵有机发光二极管显示面板的结构示意图。
具体实施方式
本发明提供一种显示基板,包括用以提供平台表面的平坦层,所述平坦层的材料包括有机硅,由于有机硅兼具有有机材料和无机材料的性能,使得平坦层与有机材料薄膜和无机材料薄膜具有良好的粘附性,防止平坦层与相邻薄膜发生剥离,保证显示基板的性能,提高产品品质。
其中,有机硅即有机硅化合物,是指含有Si-C键,且至少有一个有机基是直接与硅原子相连的化合物,习惯上也常把那些通过氧、硫、氮等使有机基与硅原子相连接的化合物也当作有机硅化合物。其中,以硅氧键(-Si-0-Si-)为骨架组成的聚硅氧烷,是有机硅化合物中为数最多,研究最深、应用最广的一类,约占总用量的90%以上。有机硅材料具有独特的结构:
(1)Si原子上充足的甲基将高能量的聚硅氧烷主链屏蔽起来;
(2)C-H无极性,使分子间相互作用力十分微弱;
(3)Si-O键长较长,Si-O-Si键键角大。
(4)Si-O键是具有50%离子键特征的共价键(共价键具有方向性,离子键无方向性)。
由于有机硅独特的结构,兼备了无机材料与有机材料的性能,具有表面张力低、粘温系数小、压缩性高、气体渗透性高等基本性质,并具有耐高低温、电气绝缘、耐氧化稳定性、耐候性、难燃、憎水、耐腐蚀、无毒无味以及生理惰性等优异特性。
而且有机硅具有较好的成膜特性,能够保证平坦层的成膜质量。
现有技术中兼具有有机材料和无机材料性能的材料并不局限于有机硅,本领域技术人员基于本发明的发明构思,很容易想到也可以选择其他易于成膜且兼具有有机材料和无机材料性能的材料来取代有机硅,实现本发明的技术方案,其属于本发明的保护范围。
下面将结合附图和实施例,对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明,但不用来限制本发明的范围。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510564816.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种逆导型IGBT器件
- 下一篇:一种超高密度LED显示器件及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的