[发明专利]一种坩埚、真空蒸镀装置及系统有效
申请号: | 201510564844.3 | 申请日: | 2015-09-07 |
公开(公告)号: | CN105177506A | 公开(公告)日: | 2015-12-23 |
发明(设计)人: | 张永峰 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | C23C14/24 | 分类号: | C23C14/24 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 李相雨 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 坩埚 真空 装置 系统 | ||
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种坩埚、真空蒸镀装置及系统。
背景技术
目前,在OLED器件制备中,常选择活泼的金属或合金做金属阴极,而OLED阳极常使用导电透明铟锡氧化物(ITO)或氧化锡(SnO2)材料。对于阴极材料需要将电子注入到有机层,因此需要电子脱离能较小(即功函数小),阳极为了将空穴注入到空穴注入层、空穴输送层等有机层,功函数大是必须的。具体地说,阴极金属常使用Mg&Ag合金、Al等活泼金属。通常金属阴极材料需要使用真空热蒸镀装置成膜在基板表面,当金属阴极使用Al金属时,由于在熔点以下蒸气压较低,因此将温度设置在熔点(660℃)以上的熔融状态下蒸镀。此时,常常会发生熔融了的Al材料沿着坩埚的内壁面上升,也就是所谓的向上“蠕动现象”,最终从坩埚顶部溢出,导致该加热源损坏。
发明内容
(一)要解决的技术问题
本发明要解决的技术问题是在蒸镀过程中由于蒸发材料在融化状态下容易沿着坩埚内壁爬升,最终溢出坩埚并落入加热源内造成设备损坏的问题。
(二)技术方案
为了解决上述技术问题,本发明提供一种坩埚,其包括:坩埚主体、喷嘴及容纳槽;所述坩埚主体用于容纳蒸发材料,所述喷嘴设置于所述坩埚主体的开口部;所述容纳槽开设在所述喷嘴的外围,用于收纳从所述喷嘴溢出的蒸发材料。
其中,所述坩埚主体包括:相连的上腔体和下腔体;所述上腔体呈自下而上的收缩状,且其顶部设有所述开口部。
其中,所述上腔体的内壁上环设有多层挡板。
其中,所述挡板包括倾斜段和折弯段;所述倾斜段的一端环设于所述上腔体的内壁上,另一端倾斜向上延伸并与所述折弯段的一端连接;所述折弯段的另一端倾斜向下设置。
其中,所述挡板由与铝液不浸润的材质制成。
其中,所述喷嘴呈自下而上的扩张状。
其中,所述容纳槽由所述喷嘴的外壁与一连接侧壁围成;所述连接侧壁环设在所述喷嘴的外围,且其一端与所述喷嘴的底部连接。
本发明还提供一种真空蒸镀装置,其包括加热源和所述的坩埚,所述加热源用于对所述坩埚加热。
其中,所述加热源包括加热室和加热器,所述加热室设置在所述坩埚的外围,所述加热器设置在所述加热室与所述坩埚之间。
本发明还提供一种真空蒸镀系统,其包括所述的真空蒸镀装置。
(三)有益效果
本发明的上述技术方案具有以下有益效果:本发明坩埚在喷嘴的外围设有容纳槽,既可实现收纳溢出的蒸发材料(尤其是铝材料),以防止溢出的蒸发材料跌落至加热源内部,从而避免加热部件发生短路损坏;同时还可便于检查蒸发材料的溢出状况。该坩埚还采用“底大口小”的设计结构,进而提高蒸发材料的受热面积及蒸发速率。此外,该坩埚的上部还设置有挡板结构,能够延缓熔融蒸发材料沿坩埚壁爬升的速度。
附图说明
图1为本发明实施例坩埚的结构示意图。
其中,1:坩埚主体;2:喷嘴;3:容纳槽;4:挡板;11:上腔体;12:下腔体。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明的实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明,但不能用来限制本发明的范围。
在本发明的描述中,需要说明的是,除非另有说明,“多个”的含义是两个或两个以上;术语“上”、“下”、“左”、“右”、“内”、“外”、“前端”、“后端”、“头部”、“尾部”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。此外,术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性。
在本发明的描述中,还需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连。对于本领域的普通技术人员而言,可视具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
实施例一
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