[发明专利]化学增幅型正型抗蚀剂干膜、干膜层合体和制备层合体的方法

权利要求书

1.待在支持膜上形成的化学增幅型正型抗蚀剂干膜，其包含：5重量％至40重量％的在大气压下具有55℃至250℃的沸点的组分，在酸作用下转变为在碱性水溶液中可溶的聚合物和响应辐射或光化光而能够产生酸的光致产酸剂，使得所述抗蚀剂干膜在受到辐射或光化光时可溶于碱性水溶液中，其中所述光致产酸剂选自碘盐、磺酰基重氮甲烷、N-磺酰氧基酰亚胺、苯偶姻磺酸酯、连苯三酚三磺酸酯、磺酸硝基苄基酯、砜和磺酸肟酯产酸剂，

其中，所述聚合物包含通式(5)的重复单元并具有1,000至500,000的重均分子量，

其中，R¹⁰为氢、羟基、直链C₁-C₆烷基、支链C₃-C₆烷基、卤素或三氟甲基，R¹¹为氢、羟基、卤素或三氟甲基，R¹²为C₄-C₁₂叔烷基，R¹³为氢、任选氟取代的C₁-C₁₂烷基、任选氟取代的C₁-C₁₂烷氧基、-C(CF₃)₂-OH、其中每个烷基结构部分具有1至6个碳原子的三烷基甲硅烷氧基、C₄-C₂₀氧代烷氧基、四氢吡喃基氧基、四氢呋喃基氧基，R¹⁴为氢或甲基，R¹⁵为氢、甲基、烷氧基羰基、氰基、卤素或三氟甲基，R¹⁶为C₄-C₃₀取代的或未取代的直链、支链或环状的烷基，n为0或1至4的正整数，m为0或1至5的正整数，p、r和s各自为0或正数，且q为正数，满足下述范围：0q/(p+q+r+s)≤0.5、0.3≤p/(p+q+r+s)≤0.8、0≤r/(p+q+r+s)≤0.35，条件是当聚合物由四种组分组成时r0，0≤s/(p+q+r+s)≤0.35，条件是p+q+r+s＝1。

2.权利要求1所述的抗蚀剂干膜，其包含5重量％至40重量％的在150℃热处理1小时期间挥发的组分。

3.权利要求1所述的抗蚀剂干膜，其中所述在大气压下具有55℃至250℃的沸点的组分为有机溶剂。

4.权利要求3所述的抗蚀剂干膜，其中所述聚合物为含酚的树脂。

5.权利要求4所述的抗蚀剂干膜，其中所述含酚的树脂包含羟基苯乙烯结构的重复单元。

6.干膜层合体，其包含权利要求1所述的化学增幅型正型抗蚀剂干膜、在所述干膜的一个表面上层合的支持膜、和在所述干膜的另一表面上层合的保护膜，所述保护膜通过1gf/24mm至500gf/24mm的剥离力从所述干膜剥离。