[发明专利]化学增幅型正型抗蚀剂干膜、干膜层合体和制备层合体的方法

说明书

待在支持膜上形成的化学增幅型正型抗蚀剂干膜包含5‑40重量％的在大气压下具有55℃至250℃的沸点的组分。可以通过简单的步骤制备具有柔性和尺寸稳定性的抗蚀剂干膜。可以将所述抗蚀剂干膜有效地和简易地置于制品上并加工，以形成图案。

相关申请的交叉引用

本非临时申请在美国法典第35卷第119节(a)款下要求2014年9月8日于日本提交的第2014-182423号的专利申请的优先权，所述专利申请的全部内容通过引用并入本文。

技术领域

本发明涉及化学增幅型正型抗蚀剂干膜、干膜层合体和制备所述层合体的方法。

背景技术

目前使用多针薄层贴装封装以顺应高集成密度的电子器件。对这样的多针结构的需要形成具有10至100μm或更大的高度的凸点电极作为连接端子的技术。当通过镀覆方法形成电极时，经常使用化学增幅型正型光致抗蚀剂材料，因为可以以相对简单的方式实现高灵敏度和高分辨率，并且所述光致抗蚀剂膜可以在镀覆之后容易地剥离。当形成光致抗蚀剂材料的膜时，在大多数情况下，将旋涂用于将光致抗蚀剂涂布在基材上。在某些涂布条件下，将过量光致抗蚀剂材料干燥，然后吸入涂布机喷注室(cup)的排液装置中，以形成被称为“棉花糖”的丝绵，其漂浮在所述涂布机喷注室上，导致对于周围和基材的污染。

为了避免这样的现象，希望另一种膜形成的手段。由于在半导体制造过程的后一步骤中使用重新布线材料，所以例如如在专利文献1中所公开地，使用包含有机硅结构的聚合物的负型抗蚀剂组合物的干膜。尽管如此，关于基于含酚树脂作为有效组分的化学增幅型正型抗蚀剂组合物，仅在专利文献2和3中发现了有限的实例。具体而言，专利文献2涉及包含可热聚合化合物和热聚合引发剂的限制性组合物。在专利文献3中，必须以化学增幅型正型抗蚀剂干膜层与支持膜之间的中间层的形式形成热塑性树脂层。所述干膜层具有在0.5至10μm范围内的厚度。因此，所述材料仅具有有限的应用。

这部分因为用于化学增幅型正型抗蚀剂组合物中的聚合物通常是含酚的树脂，特别是具有对羟基苯乙烯单体单元的聚合物。因为具有高含量的酚单元的聚合物硬且脆，所以其膜不具有柔性，具有开裂的问题。为了避免开裂，专利文献2和3使用分子中具有两个或更多个烯属不饱和键的可热聚合的化合物或热塑性树脂层以赋予柔性。然而，关于这些材料，对所述材料本身应当表现的特性有限制。

长期以来一直等待获得化学增幅型正型抗蚀剂干膜，其基于以下重要组分的组合：(1)在酸作用下转变为在碱性水溶液中可溶的聚合物和(2)响应辐射或光化光而能够产生酸的光致产酸剂，并且包含任选的添加剂，作为常规的液体化学增幅型正型抗蚀剂组合物，因为所述干膜可以具有广泛的应用而没有限制。

引用列表

专利文献1：JP-A 2011-145664(USP 8729148,EP 2364847)

专利文献2：JP-A 2006-350293

专利文献3：WO 2014/065220

发明简述

本发明的目的在于提供具有柔性、尺寸稳定性和耐开裂性的化学增幅型正型抗蚀剂干膜、干膜层合体和用于制备所述层合体的方法。

发明人已发现当所述化学增幅型正型抗蚀剂干膜包含5至40重量％的在大气压下具有55至250℃的沸点的组分时，获得更佳的结果。

在一个方面，本发明提供了待在支持膜上形成的化学增幅型正型抗蚀剂干膜，其包含5至40重量％的在大气压下具有55至250℃的沸点的组分。

优选地，所述抗蚀剂干膜包含5至40重量％的在150℃热处理1小时期间挥发的组分。