[发明专利]扁桃斑鸠菊的快速繁殖方法

权利要求书

1.扁桃斑鸠菊的快速繁殖方法，其特征在于，将扁桃斑鸠菊的外植体经过诱导、继代培养后得到的继代芽接种到生根培养基中预培养，得到无菌苗，然后将无菌苗扦插到基质中进行培养，待生根、长出新叶后再栽植到花盆中；所述生根培养基为1/2MS生根培养基；所述1/2MS生根培养基按质量浓度添加25～35g/L的蔗糖、6～10g/L的琼脂、0.3～0.6g/L的活性炭和0.05～0.2mg/L的IBA，且pH为5.8～6.0；所述基质为泥炭土、河沙和蛭石混合而成，并用高锰酸钾溶液灭菌；所述泥炭土、河沙和蛭石的体积比是3～4：3～4：1～2，所述预培养的条件是：温度为23～28℃，光照强度为1500～2000LX，光照时间为每天10～15h，预培养时间为6～8天。

2.根据权利要求1所述的快速繁殖方法，其特征在于，所述诱导具体是：在生长健壮，无病虫害的扁桃斑鸠菊植株上剪取茎段作为外植体，先用洗洁精的稀释溶液浸泡，并清洗外植体表面，再用酒精浸泡20～30s，无菌水冲洗2～4遍，用升汞溶液消毒处理8～10min，无菌水冲洗2～4遍后，接种于含有0.5～1mg/L 6-BA和0.05～0.1mg/L NAA的MS启动培养基，培养温度为23～28℃，光照强度为1500～2000LX，光照时间为每天10～15h。

3.根据权利要求1所述的快速繁殖方法，其特征在于，所述继代培养具体是：诱导芽长至2～3cm后，接种到含0.5～1mg/L 6-BA和0.05～0.1mg/L NAA的MS增殖培养基进行继代培养，温度为23～28℃，光照强度为1500～2000LX，光照时间为每天10～15h，生长25～30天后得到继代芽。

4.根据权利要求1所述的快速繁殖方法，其特征在于，无菌苗在基质中进行培养的条件是：温度为30～38℃，环境湿度60～80％，培养时间为6～8天。

5.根据权利要求1所述的快速繁殖方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)外植体的诱导：在生长健壮，无病虫害的扁桃斑鸠菊植株上剪取茎段作为外植体，先用洗洁精的稀释溶液浸泡，并清洗外植体表面，再用酒精浸泡20～30s，无菌水冲洗2～4遍，用升汞溶液消毒处理8～10min，无菌水冲洗2～4遍后，接种于含有0.5～1mg/L 6-BA和0.05～0.1mg/L NAA的MS启动培养基，培养温度为23～28℃，光照强度为1500～2000LX，光照时间为每天10～15h；

(2)诱导芽的继代培养：诱导芽长至2～3cm后，接种到含0.5～1mg/L 6-BA和0.05～0.1mg/L NAA的MS增殖培养基进行继代培养，温度为23～28℃，光照强度为1500～2000LX，光照时间为每天10～15h，生长25～30天后得到继代芽；

(3)扦插材料的选择：取2～3cm、生长健壮的继代芽，经切取后接种到1/2MS生根培养基，培养基中按质量浓度添加25～35g/L的蔗糖、6～10g/L的琼脂、0.3～0.6g/L的活性炭和0.05～0.2mg/L的IBA，pH为5.8～6.0；

(4)预培养：在温度为23～28℃，光照强度为1500～2000LX的环境预培养，光照时间为每天10～15h，预培养时间为6～8天，得到无菌苗；

(5)扦插：将无菌苗扦插到用高锰酸钾溶液灭菌的体积比为3～4：3～4：1～2的泥炭土、河沙、蛭石混合基质中，将扦插好的无菌苗放到阴凉处，温度为30～38℃，环境湿度60～80％，培养6～8天后生根；

(6)栽植：待扦插苗长出新叶后再栽植到花盆中，栽培基质用500～800倍多菌灵进行处理，然后置于阴凉处，注意保湿，待生长稳定后放到阳光下生长。