[发明专利]扁桃斑鸠菊的快速繁殖方法有效

专利信息
申请号: 201510565142.7 申请日: 2015-09-08
公开(公告)号: CN105191792B 公开(公告)日: 2017-09-01
发明(设计)人: 沈彦会;周桂英;许建新;刘文竹;唐彪;赵克奇;刘璞;张静;王成聪 申请(专利权)人: 深圳市铁汉生态环境股份有限公司
主分类号: A01H4/00 分类号: A01H4/00
代理公司: 广州嘉权专利商标事务所有限公司44205 代理人: 唐致明
地址: 518040 广东省深圳市龙岗区*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 扁桃 斑鸠 快速 繁殖 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及扁桃斑鸠菊的繁殖方法,具体是一种结合组织培养和扦插技术的扁桃斑鸠菊的快速繁殖方法。

背景技术

扁桃斑鸠菊(Vernonia amygdalina Del.),又名桃叶斑鸠菊、杏叶斑鸠菊、神奇树、苦树、南非树、南非叶、尖尾凤等,为菊科斑鸠菊属植物,原产于非洲,最多见于西非。目前已知的菊科斑鸠菊属植物约1000种,多属于草本、木质藤本或乔木,主要生长于热带地区。我国已发现约30种,有糙叶斑鸠菊、柳叶斑鸠菊、驱虫斑鸠菊、夜香牛等,主要方分布于西南至东南、台湾、新疆等地。扁桃斑鸠菊多为2~5cm高的多年生乔木或灌木,喜光,宜在潮湿环境中生长,也耐干旱,适应多种土壤类型。扁桃斑鸠菊叶子可以安全食用,在尼日利亚等地常被当做蔬菜食用,也可应用于盆栽和园林配植。其叶片具有独特的气味和苦涩感,因而常被称为苦叶,可入药。

扁桃斑鸠菊应用较广泛,已在药品、食品级工业等领域得到广泛应用。在治疗肿瘤尤其是防治乳腺癌、降血压方面极具潜力。目前研究主要集中在抗肿瘤活性、对免疫系统影响、皮肤病治疗和抗感染等方面。此外,还广泛应用于治疗发热、疟疾、腹泻、痢疾、肝炎、疥疮、咳嗽、头痛和胃痛等病症。其主要活性成分有皂苷、生物碱、萜类、类固醇、香豆素类、黄酮类、酚酸类、木酚素、蒽醌类和倍半萜等。目前已从中分离5类共32种化合物。因此扁桃斑鸠菊在医药领域有潜力巨大,具有很大的开发价值。目前扁桃斑鸠菊繁殖多采用扦插,也有采用单独组织培养的。扦插技术在栽培过程中病害会逐年积累,造成繁殖苗木退化;若采用组织培养,生根苗从培养基取出时,苗根上的培养基不易清洗干净,耗费人工,再加上培养基营养物质丰富,炼苗栽植过程容易感染病菌,降低成活率。

发明内容

本发明的目的是提供一种能够保持母本性状、成活率高、可周年繁殖的扁桃斑鸠菊的快速繁殖方法。

为达到上述目的,本发明采用以下技术方案:

扁桃斑鸠菊的快速繁殖方法,将扁桃斑鸠菊的继代芽接种到生根培养基中预培养,得到无菌苗,然后将无菌苗扦插到基质中进行培养,待生根、长出新叶后再栽植到花盆中。

进一步地,所述诱导具体是:在生长健壮,无病虫害的扁桃斑鸠菊植株上剪取茎段作为外植体,先用洗洁精的稀释溶液浸泡,并清洗外植体表面,再用酒精浸泡20~30s,无菌水冲洗2~4遍,用升汞溶液消毒处理8~10min,无菌水冲洗2~4遍后,接种于含有0.5~1mg/L 6-BA和0.05~0.1mg/L NAA的MS启动培养基,培养温度为23~28℃,光照强度为1500~2000LX,光照时间为每天10~15h。

进一步地,所述酒精的体积分数为75%。

进一步地,所述升汞溶液的浓度是1g/L。

进一步地,所述继代培养具体是:诱导芽长至2~3cm后,接种到含0.5~1mg/L 6-BA和0.05~0.1mg/L NAA的MS增殖培养基进行继代培养,温度为23~28℃,光照强度为1500~2000LX,光照时间为每天10~15h,生长25~30天后得到继代芽。

进一步地,所述生根培养基为1/2MS生根培养基。

进一步地,所述1/2MS生根培养基按质量浓度添加25~35g/L的蔗糖、6~10g/L的琼脂、0.3~0.6g/L的活性炭和0.05~0.2mg/L的IBA,且pH为5.8~6.0。

进一步地,所述预培养的条件是:温度为23~28℃,光照强度为1500~2000LX,光照时间为每天10~15h,预培养时间为6~8天。

进一步地,所述基质为泥炭土、河沙和蛭石混合而成,并用高锰酸钾溶液灭菌。

进一步地,所述泥炭土、河沙和蛭石的体积比是3~4:3~4:1~2。

进一步地,无菌苗在基质中进行培养的条件是:温度为30~38℃,环境湿度60~80%,培养时间为6~8天。

进一步地,该快速繁殖方法包括以下步骤:

(1)外植体的诱导:在生长健壮,无病虫害的扁桃斑鸠菊植株上剪取茎段作为外植体,先用洗洁精的稀释溶液浸泡,并清洗外植体表面,再用酒精浸泡20~30s,无菌水冲洗2~4遍,用升汞溶液消毒处理8~10min,无菌水冲洗2~4遍后,接种于含有0.5~1mg/L 6-BA和0.05~0.1mg/L NAA的MS启动培养基,培养温度为23~28℃,光照强度为1500~2000LX,光照时间为每天10~15h;

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