[发明专利]高性能高压平板电容及退磁采样电路

权利要求书

1.高性能高压平板电容，其特征在于：包括上极板和下极板，所述上极板置于下极板上方，所述上极板为金属导电板，下极板为低掺杂N型半导体板，上极板和下极板之间从下到上依次设置有第一介质层和第二介质层，第二介质层中设置有金属区，下极板中设置有重掺杂N型半导体区，第一介质层设置有连接金属区和重掺杂N型半导体区的导电通孔。

2.根据权利要求1所述的高性能高压平板电容，其特征在于：下极板下表面设置有P型衬底层。

3.根据权利要求1所述的高性能高压平板电容，其特征在于：金属区为设置在第二介质层底部的环形区。

4.根据权利要求1所述的高性能高压平板电容，其特征在于：重掺杂N型半导体区为设置在第一介质层顶部的环形区。

5.高性能高压平板电容，其特征在于：包括上极板和下极板，所述上极板置于下极板上方，所述上极板为多晶硅材料板或者金属导电板，所述下极板为N型掺杂半导体板，下极板顶部设置有低掺杂P型半导体区和重掺杂N型半导体区，上极板和低掺杂P型半导体区之间设置有场氧化层，场氧化层上表面、重掺杂N型半导体区上表面设置有第一介质层，第一介质层上表面设置有第二介质层，第二介质层底部设置有第一金属区，第二介质层上表面设置有第二金属区，第一介质层中设置有连接重掺杂N型半导体区与第一金属区的第一导电通孔，第一介质层中设置有第一金属区与第二金属区的第二导电通孔。

6.根据权利要求5所述的高性能高压平板电容，其特征在于：下极板下表面设置有P型衬底层。

7.根据权利要求5所述的高性能高压平板电容，其特征在于：

所述上极板为多晶硅材料板时，上极板设置在第一介质层的底部且在场氧化层的上表面；

或者所述上极板为与第一金属区同材料的金属导电板时，上极板设置在第二介质层的底部且在第一介质层的上表面；

或者所述上极板为与第二金属区同材料的金属导电板时，上极板设置在第二介质层的上表面。

8.根据权利要求5所述的高性能高压平板电容，其特征在于：所述上极板为环形板。

9.一种退磁采样电路，其特征在于，包括高压平板电容、高压功率器件、电感类器件、输出整流电路、退磁信号采样电路、退磁时间计时电路和开关逻辑控制电路；

电感类器件初级线圈的一端与电源正极连接，电感类器件初级线圈的另一端与高压平板电容的高压端和高压功率器件的漏极连接，电感类器件次级线圈与输出整流电路连接，高压平板电容的低压端与退磁信号采样电路的输入端连接，退磁信号采样电路的输出端与退磁时间计时电路的输入端连接，退磁时间计时电路的输出端与开关逻辑控制电路的输入端连接，开关逻辑控制电路的输出端与高压功率器件的栅极连接，高压功率器件的源极与电源负极连接；

所述高压平板电容用于检测高压功率器件的漏极的退磁信号，以及将检测到的退磁信号输出到退磁信号采样电路；

所述的退磁信号采样电路将输入的退磁信号转化为数字电平输入到所述的退磁时间计时电路；

所述的退磁时间计时电路用于根据数字电平记录电感类器件的退磁时间，此退磁时间输入到所述的开关逻辑控制电路；

所述的开关逻辑控制电路根据退磁时间控制高压功率器件的导通与关断时间；

所述高压平板电容为权利要求1到8任一项所述的高性能高压平板电容。

10.根据权利要求9所述的退磁采样电路，其特征在于：所述退磁信号采样电路包括电压比较器或电流比较器。