[发明专利]电子设备及其操作方法有效
申请号: | 201510568044.9 | 申请日: | 2015-09-08 |
公开(公告)号: | CN105719690B | 公开(公告)日: | 2021-09-07 |
发明(设计)人: | 金炫植 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | G11C13/00 | 分类号: | G11C13/00 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人: | 俞波;毋二省 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子设备 及其 操作方法 | ||
1.一种电子设备,包括半导体存储装置,所述半导体存储装置包括:
单元阵列,包括布置在多条列线和多条行线中的多个电阻式存储单元;以及
读取电路,适用于:在读取操作中,基于预先储存的指示引起单元阵列中的最大读取裕度的偏置电流的量的偏置信息来产生偏置电流,将偏置电流供应至感测节点,将来自感测节点的读取电流供应至从所述多条列线中选中的列线,以及利用感测节点处的电压电平来感测储存在耦接至选中的列线的选中的存储单元中的数据,
其中,读取电路还适用于:在测试操作中,检测引起测试的单元阵列的最大读取裕度的偏置电流的量、以及预先储存与检测到的偏置电流的量相对应的偏置信息,以及
其中读取电路包括:
第一电流发生单元,适用于产生参考电流并将参考电流供应至感测节点;
第二电流发生单元,适用于:储存偏置信息,根据偏置信息来产生补偿电流,以及将补偿电流供应至感测节点,所述补偿电流补偿流过一个或多个未选中的存储单元的寄生电流,
其中第二电流发生单元包括:
储存器,适用于储存偏置信息以及提供多个选择信号,所述多个选择信号包括第一选择信号和第二选择信号;
电压发生单元,适用于产生具有与偏置信息相对应的电平的补偿电压;以及
电流发生单元,适用于产生具有与补偿电压的电平相对应的量的补偿电流,以及
其中电压发生单元包括:
电阻器,所述电阻器具有第一端和第二端,
第一传递门,所述第一传递门连接至所述电阻器的第一端,以及响应于所述第一选择信号而传输所述第一端处的第一电压作为补偿电压,以及
第二传递门,所述第二传递门连接至所述电阻器的第二端,以及响应于所述第二选择信号而传输所述第二端处的第二电压作为补偿电压。
2.根据权利要求1所述的电子设备,其中所述多个电阻式存储单元中的每个包括:
可变电阻元件,适用于根据储存在可变电阻元件中的数据的逻辑值而具有高电阻状态或低电阻状态;以及
选择元件,串联耦接至可变电阻元件。
3.根据权利要求1所述的电子设备,其中所述多个电阻式存储单元中的每个耦接至所述多条列线中的对应的列线和所述多条行线中对应的行线。
4.根据权利要求1所述的电子设备,其中读取电路还包括:
感测单元,适用于利用感测节点处的电压电平来感测选中的存储单元的数据;以及
读取电压驱动单元,适用于:从感测节点接收偏置电流,并且将读取电流施加至选中的列线,
其中偏置电流是参考电流和补偿电流的总和,以及
其中第一电流发生单元和第二电流发生单元产生具有引起单元阵列中的最大读取裕度的量的偏置电流。
5.根据权利要求1所述的电子设备,其中储存器包括储存偏置信息的多个非易失性存储元件。
6.根据权利要求1所述的电子设备,其中读取电压驱动单元包括:
内部节点,在读取操作中耦接至选中的列线;
比较器,适用于将读取电压与内部节点处的电压进行比较;以及
晶体管,耦接至感测节点与内部节点并设置在感测节点与内部节点之间,以及适用于受到比较器的比较结果控制以将读取电流施加至选中的列线。
7.根据权利要求1所述的电子设备,还包括微处理器,所述微处理器包括:
控制单元,被配置为:从微处理器的外部接收包括命令的信号,以及执行命令的提取、命令的解码或控制微处理器的信号的输入或输出;以及
操作单元,被配置为基于控制单元解码命令的结果来执行操作;以及
存储装置,被配置为:储存用于执行操作的数据、与执行操作的结果相对应的数据或被执行操作的数据的地址,
其中包括可变电阻元件的半导体存储装置是微处理器中的存储装置的部分。
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