[发明专利]电子设备及其操作方法

说明书

一种电子设备包括半导体存储装置。半导体存储装置可以包括：单元阵列，适用于包括布置在多条列线和多条行线中的多个电阻式存储单元；以及读取电路。读取电路适用于：在读取操作中，基于偏置信息来产生偏置电流，将偏置电流供应至感测节点，将来自感测节点的读取电流供应至从所述多条列线中选中的列线，以及利用感测节点处的电压电平来感测储存在耦接至选中的列线的选中的存储单元中的数据。偏置信息在读取操作开始之前被确定并被储存在半导体存储装置中。

相关申请交叉引用

本申请要求2014年12月18日提交的申请号为10-2014-0183310的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

本发明的示例性实施例涉及电子设备中的存储电路或器件及其应用。

背景技术

近年来，随着电子设备趋向于小型化、低功耗、高性能、多功能性等，在本领域中已经需要能够储存各种电子设备(诸如，计算机、便携式通信设备等)中的信息的半导体器件，并且已经对半导体器件进行研究。此类半导体器件包括能够利用根据施加至其的电压或电流而在不同的电阻状态之间切换的特性来储存数据的半导体器件，例如，电阻式随机存取存储器(RRAM)、相变随机存取存储器(PRAM)、铁电随机存取存储器(FRAM)、磁随机存取存储器(MRAM)、电熔丝等。

发明内容

各种实施例针对提供一种电子设备，所述电子设备通过补偿寄生电流(sneakcurrent)并执行读取操作而具有增加的读取裕度(margin)。

而且，各种实施例针对提供一种电子设备，所述电子设备通过在先储存用于补偿寄生电流的信息来不引起读取速度的延迟。

在一个实施例中，电子设备可以包括半导体存储装置。

半导体存储装置可以包括：单元阵列，包括布置在多条列线和多条行线中的多个电阻式存储单元；以及读取电路，适用于：在读取操作中，基于偏置信息来产生偏置电流，将偏置电流供应至感测节点，将来自感测节点的读取电流供应至从所述多条列线中选中的列线，以及利用感测节点处的电压电平来感测耦接至选中的列线的选中的存储单元中的数据，其中偏置信息在读取操作之前被确定并被储存在半导体存储装置中。

所述多个电阻式存储单元中的每个可以包括：可变电阻元件，适用于根据储存在可变电阻元件中的数据的逻辑值来具有高电阻状态或低电阻状态；以及选择元件，串联耦接至可变电阻元件。

所述多个电阻式存储单元中的每个可以耦接至所述多条列线中的对应的列线和所述多条行线中的对应的行线。

读取电路可以包括：第一电流发生单元，适用于产生参考电流并将参考电流供应至感测节点；第二电流发生单元，适用于储存偏置信息，以及根据偏置信息来产生补偿电流并将补偿电流供应至感测节点；感测单元，适用于利用感测节点处的电压电平来感测选中的存储单元的数据；以及读取电压驱动单元，适用于从感测节点接收偏置电流、并且将读取电流施加至选中的列线。

偏置电流可以是参考电流和补偿电流的总和。

第一电流发生单元和第二电流发生单元可以产生具有引起单元阵列中的最大读取裕度的量的偏置电流。

第二电流发生单元可以包括：储存器，适用于储存偏置信息；电压发生单元，适用于产生具有与偏置信息相对应的电平的补偿电压；以及电流发生单元，适用于产生具有与补偿电压的电平相对应的量的补偿电流。

偏置信息可以指示引起单元阵列中的最大读取裕度的偏置的量。

储存器可以包括储存偏置信息的多个非易失性存储元件。