[发明专利]片式陶瓷电容器倒角制备工艺

说明书

技术领域

本发明涉及片式陶瓷电容器的制造方法，特别涉及片式陶瓷电容器的倒角制备工艺。

背景技术

在制作MLCC电容器过程中，烧结前倒角可以避免烧结时芯片角的累积应力过大，乃至引起芯片在烧结时出现裂痕现象。无倒角的芯片在端银时银浆不能完整包覆端头，使得瓷体部分裸露出来，造成在电镀时电镀液渗入，影响测试时电容器的DF值、IR值的不合格。一般烧结前倒角方式：加入一定量纯水和产品一起倒角，有可能产生纯水渗入到陶瓷芯片中，在脱脂、烧结时以水蒸汽形式跑出，而形成一个孔洞或分层现象，影响到产品质量可靠性。

为解决上述问题，本发明人发明了一种片式陶瓷电容器倒角方法(专利号为CN201010224419.7)片式陶瓷电容器倒角方法，其特征在于：在片式陶瓷电容器烧结前进行倒角，在行星倒角机的倒角容器中加入谷物粉作为倒角介质。使用该种方法可解决如PVB系树脂等产品陶瓷电容器中的倒角问题，但陶瓷电容器的配方多样，如丙烯酸系树脂的产品在使用该种方法进行烧结时，由于谷物粉末的硬度低，只有挤压塑性作用，而无法去除坯体表面的有机物，因此烧结后的电容器外观需要进一步处理，为了满足不同产品的需求、提高工作效率，该种方法有待进一步改进。

发明内容

本发明的主要目的在于克服现有技术的不足，提供一种片式陶瓷电容器的倒角方制备工艺，采用无机材料粉末来代替水作为倒角介质，使得片式陶瓷电容器倒角质量可靠。

本发明采用如下技术方案：片式陶瓷电容器倒角制备工艺，在片式陶瓷电容器坯体在烧结前进行倒角，其特征在于：在行星倒角机的倒角容器中加入无机材料粉末作为倒角介质，该无机材料粉末在片式陶瓷电容器坯体烧结环境下不与片式陶瓷电容器坯体发生反应，倒角结束后将无机材料粉末与片式陶瓷电容器坯体完整分离。

优化的，无机材料粉末的粒度范围为5μm-60μm。

优化的，无机材料粉末的反应温度大于片式陶瓷电容器坯体的烧结温度至少100℃。

优化的，无机材料粉末为白刚玉粉末。

优化的，无机材料粉末为氧化锆粉末。

优化的，无机材料粉末为氮化硅粉末。

进一步的，无机材料粉末为氮化硅粉末。

进一步的，倒角容器中，片式陶瓷电容器产品与无机材料粉末的体积比为1：1.2-2.5。

进一步的，述倒角容器中，片式陶瓷电容器产品与无机材料粉末的总体积占该倒角容器的容积的35-65％。

由上述对本发明的描述可知，与现有技术相比，本发明的片式陶瓷电容器倒角制备工艺具有如下有益效果：工艺简单，本发明采用无机材料粉末作为介质与产品一起倒角，倒角结束后通过振动筛将无机材料粉末与产品完整分离；产品质量好，无机材料粉末硬度大，在容器中会形成，除了对产品进行塑形作用还会对坯体表面进行切削，除去坯体表面的有机物，使烧结出的倒角外观完整、符合标准；产品质量稳定，无机材料粉末不与陶瓷坯体进行反应，不会影响产品质量可靠性，也不会影响电容器的DF值、IR值。

具体实施方式

本发明的片式陶瓷电容器倒角制备工艺，在行星倒角机的倒角容器中加入无机材料粉末作为倒角介质，该无机材料粉末在片式陶瓷电容器坯体烧结环境下不与片式陶瓷电容器坯体发生反应，倒角结束后将无机材料粉末与片式陶瓷电容器坯体完整分离；无机材料粉末为的粒度范围为5μm-60μm；倒角容器中，片式陶瓷电容器产品与无机材料粉末的体积比为1：1.2-2.5；倒角容器中，片式陶瓷电容器产品与无机材料粉末的总体积占该倒角容器的容积的35-65％。

本实施方式中，无机材料粉末为粒度范围为5μm-60μm白刚玉粉末，此外根据陶瓷坯体的不同无机材料粉末还可以是氧化锆、氮化硅、氮化硅粉末。

具体步骤如下：

步骤1，在倒角时，将产品与白刚玉粉末按体积比大约1：2装入倒角容器中，产品与白刚玉的总体积占倒角容器的容积的50％，然后根据产品的规格大小设定行星倒角机的转速，该转速要设定为对相对规格的产品进行倒角的采用水作为倒角介质的倒角机的转速的120-150％，倒角2-3小时后即可完成倒角；

步骤2，倒角结束后通过振动筛将白刚玉与产品完整分离；

步骤3，对产品进行烧结，当产品到达烧结温度时，白刚玉粉末未到达反应温度因此不与产品发生反应，将倒角进行倒角处理时白刚玉粉末在芯片上，不会影响产品质量可靠性，也不会影响电容器的DF值、IR值。