[发明专利]一种电阻铜箔的制造方法有效
申请号: | 201510573680.0 | 申请日: | 2015-09-10 |
公开(公告)号: | CN105177535B | 公开(公告)日: | 2018-07-10 |
发明(设计)人: | 王锋伟;崔成强;张仕通;王靖 | 申请(专利权)人: | 安捷利(番禺)电子实业有限公司 |
主分类号: | C23C18/36 | 分类号: | C23C18/36 |
代理公司: | 广州新诺专利商标事务所有限公司 44100 | 代理人: | 肖云 |
地址: | 511458 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 化学镀 纯铜箔 铜箔 外露面 电阻 预处理 电阻材料层 活化处理 密封胶带 碱性化学镀镍 电解铜 氨水 次亚磷酸钠 镀层均匀性 焦磷酸钠 叠合面 结合力 硫酸镍 氯化铵 中低温 裁切 沉积 除油 叠合 镀液 活化 毛面 酸洗 铜牙 微蚀 预浸 粘贴 密封 制造 并用 保留 | ||
1.一种电阻铜箔的制造方法,用于在铜箔单面完成化学镀,其特征在于,包括以下步骤实现:
S1、将两个纯铜箔相对叠合,通过密封胶带以粘贴方式将其中一个所述纯铜箔的外露面四周边缘与另一个所述纯铜箔的外露面四周边缘对应相连,以将两个所述纯铜箔的叠合面完全密封;所述纯铜箔为厚度1/2oz或1/3oz、铜牙大小为1~2μm的电解铜,所述纯铜箔的毛面作为所述纯铜箔的外露面;所述叠合为卷对卷式叠合,所述粘贴通过卷对卷式的贴胶装置进行操作;
S2、所述纯铜箔的外露面经过化学镀预处理;
S3、所述纯铜箔的外露面经过化学镀处理,使得所述纯铜箔的外露面镀上电阻材料层;
S4、裁切以除去所述纯铜箔的四周边缘的所述密封胶带,获取所需尺寸的所述电阻铜箔。
2.如权利要求1所述的电阻铜箔的制造方法,其特征在于:所述步骤S2中,所述化学镀预处理包括除油、酸洗、微蚀、预浸、活化处理。
3.如权利要求2所述的电阻铜箔的制造方法,其特征在于:所述活化处理的活化时间为2~3分钟。
4.如权利要求1所述的电阻铜箔的制造方法,其特征在于:所述步骤S3中,所述化学镀使用中低温的碱性化学镀镍,所述碱性化学镀镍的镀液组成为硫酸镍20~30g/L,次亚磷酸钠20~40g/L,焦磷酸钠50~80g/L,氯化铵30~60g/L,氨水30~60g/L;所述化学镀的温度为25~50℃;所述化学镀的沉积时间为1~10分钟。
5.如权利要求1所述的电阻铜箔的制造方法,其特征在于:所述裁切通过裁切装置进行操作。
6.如权利要求4所述的电阻铜箔的制造方法,其特征在于:所述步骤S3中,所述碱性化学镀镍的镀液组成为硫酸镍20g/L,次亚磷酸钠30g/L,焦磷酸钠60g/L,氯化铵50g/L,氨水40g/L;所述化学镀的沉积时间为2.5分钟。
7.如权利要求4所述的电阻铜箔的制造方法,其特征在于:所述步骤S3中,所述碱性化学镀镍的镀液组成为硫酸镍25g/L,次亚磷酸钠35g/L,焦磷酸钠70g/L,氯化铵50g/L,氨水40g/L;所述化学镀的沉积时间为2.5分钟。
8.如权利要求7所述的电阻铜箔的制造方法,其特征在于:所述步骤S3中,所述化学镀的温度为45℃,所述碱性化学镀镍的镀液pH为8~9。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法,例如光分解、粒子辐射
C23C18-16 .还原法或置换法,例如无电流镀
C23C18-54 .接触镀,即无电流化学镀
C23C18-18 ..待镀材料的预处理