[发明专利]高速反相器及其方法

权利要求书

1.一高速反相器电路，其特征在于，包含有：

一第一CMOS反相器，包含一第一PMOS晶体管、一第一NMOS晶体管、以及一第一电阻，该第一CMOS反相器用以接收第一信号与一第二信号，且输出一第三信号与一第四信号；以及

一第二CMOS反相器，包含一第二PMOS晶体管、一第二NMOS晶体管、以及一第二电阻，该第二CMOS反相器用以接收该第三信号与该第四信号，且输出一第五信号与一第六信号；

其中该第一PMOS晶体管将该第一信号的高到低转态反相为该第四信号的低到高转态，该第一NMOS晶体管将该第二信号的低到高转态反相为该第三信号的高到低转态，该第一电阻提供该第三信号与该第四信号的隔离，该第二PMOS晶体管将该第三信号的高到低转态反相为该第六信号的低到高转态，该第二NMOS晶体管将该第四信号的低到高转态反相为该第五信号的高到低转态，以及该第二电阻提供该第五信号与该第六信号的隔离。

2.如权利要求1所述的电路，其特征在于，该第一信号为一快速高至低转态但为缓慢低到高转态的信号，且该第二信号为一快速低到高转态但为缓慢高到低转态的信号。

3.如权利要求1所述的电路，其特征在于，该第一信号与该第二信号短路。

4.一高速反相器电路，其特征在于，包含有：

一第一CMOS反相器，包含第一PMOS晶体管、一第一NMOS晶体管、以及一第一电阻，该第一CMOS反相器用以接收一第一信号与一第二信号，且输出一第三信号与一第四信号；以及

一第二CMOS反相器，包含一第二PMOS晶体管、一第二NMOS晶体管、以及一第二电阻，该第二CMOS反相器用以接收该第三信号与该第四信号，且输出该第一信号与该第二信号；

其中该第一PMOS晶体管将该第一信号的高到低转态反相为该第四信号的低到高转态，该第一NMOS晶体管将该第二信号的低到高转态反相为该第三信号的高到低转态，该第一电阻提供该第三信号与该第四信号的隔离，该第二PMOS晶体管将该第三信号的高到低转态反相为该第二信号的低到高转态，该第二NMOS晶体管将该第四信号的低到高转态反相为该第一信号的高到低转态，以及该第二电阻提供该第一信号与该第二信号的隔离。