[发明专利]射频LDMOS器件

权利要求书

1.一种射频LDMOS器件，其特征在于：包含：P+衬底、P+衬底上的P型外延层，P+衬底下方的衬底金属，P型外延层内部设有P+sinker区、P+sinker区上方的P阱、P阱右侧的N-漂移区、P阱内且靠近半导体表面的N+区，N+区的右侧上方至N-漂移区的左侧上方覆盖有多晶硅，多晶硅为栅极，N+区的右边缘位于多晶硅的左边缘处，P+sinker区上方为源极金属，源极金属通过P+sinker区与衬底连接，N-漂移区的右端的N+区为器件漏极，N+区的上方为漏极金属，N-漂移区的上方以及多晶硅的右侧上方设有法拉第罩，法拉第罩和漂移区之间有一层low k介质，多晶硅和源极金属以及漏极金属之间的间隙填充有二氧化硅绝缘介质，法拉第罩和多晶硅之间的间隙填充有二氧化硅绝缘介质，多晶硅与半导体之间填充有二氧化硅栅氧介质，low k介质材料的介电常数小于SiO₂的介电常数。

2.根据权利要求1所述的射频LDMOS器件，其特征在于：所述low k介质为SiF、SiOC、空气或SiO₂的多孔材料中的一种。

3.根据权利要求1所述的射频LDMOS器件，其特征在于：所述low k介质层厚度在之间。

4.根据权利要求1所述的射频LDMOS器件，其特征在于：所述low k介质层长度为0.8μm。

5.根据权利要求1所述的射频LDMOS器件，其特征在于：所述N-漂移区的长度为2.8μm，法拉第罩的长度1.0μm，Low k介质的左右端位置距法拉第罩右边缘A的距离分别为0.5μm和0.3μm。

6.根据权利要求1所述的射频LDMOS器件，其特征在于：法拉第罩通过金属线连接至器件的源极金属。

7.根据权利要求 1所述的射频LDMOS器件，其特征在于：N-漂移区通过离子注入形成。

8.根据权利要求 1所述的射频LDMOS器件，其特征在于：N-漂移区结深为0.5μm。