[发明专利]g-C3N4/TiO2@蒙脱石光催化剂及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201510581789.9 申请日: 2015-09-14
公开(公告)号: CN105107542A 公开(公告)日: 2015-12-02
发明(设计)人: 孙志明;郑水林;李春全;姚光远 申请(专利权)人: 中国矿业大学(北京)
主分类号: B01J27/24 分类号: B01J27/24
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100083 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: sub tio 蒙脱石 光催化剂 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.g-C3N4/TiO2蒙脱石光催化剂,即在蒙脱石片层间均匀负载g-C3N4/TiO2异质结纳米片,其特征在于:其中的纳米TiO2为锐钛矿晶型且晶粒尺寸为5~15nm,g-C3N4/TiO2异质结纳米片与蒙脱石的质量比为25~60:100;所得的光催化剂的禁带宽度为2.2~2.4eV。

2.g-C3N4/TiO2蒙脱石光催化剂制备方法,包括以下工艺步骤:

(1)以季铵盐为改性剂对蒙脱石进行有机插层改性:将水和蒙脱石按液固质量比10~50:1混合均匀,再按蒙脱石阳离子交换总量的0.5~2.0倍加入季铵盐,在20~30℃下搅拌3h进行离子交换反应,然后进行过滤、烘干和研磨,即得到有机蒙脱石;

(2)钛酸四丁酯为钛源,双氰胺为g-C3N4前驱体,无水乙醇为溶剂,盐酸为pH调节剂,冰醋酸为延缓剂,按照有机蒙脱石:双氰胺:钛酸四丁酯:冰醋酸:去离子水的质量比为100:0.5~10:0.5~10:2~30:1~20:1~20进行混合,调节pH为1.0~2.5,在20~40℃搅拌反应6~24小时,然后在105℃条件下烘干;

(3)将步骤(2)中的烘干产物研磨至97%通过200目筛后进行两次煅烧,一次煅烧为密闭煅烧(加盖),400~800℃下煅烧1~10h;一次煅烧后将样品在冷却至室温后,进行二次开放式煅烧(不加盖);二次煅烧过程中在300~600℃下煅烧1~10h;煅烧过程中升温速率1~10℃/min。

3.根据权利要求2所述的g-C3N4/TiO2蒙脱石光催化剂制备方法,所述季铵盐为长碳链或双碳链季铵盐,例如:双十二烷基二甲基溴化铵、十六烷基三甲基溴化铵。

4.根据权利要求2所述的g-C3N4/TiO2蒙脱石光催化剂制备方法,所述钛源为钛酸四丁酯或四异丙醇钛;g-C3N4前驱体为三聚氰胺、双氰胺或尿素;pH调节剂为盐酸或硝酸。

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