[发明专利]半导体封装结构有效
申请号: | 201510582282.5 | 申请日: | 2015-09-14 |
公开(公告)号: | CN105428334B | 公开(公告)日: | 2019-03-01 |
发明(设计)人: | 林子闳;杨明宗 | 申请(专利权)人: | 联发科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/48 | 分类号: | H01L23/48;H01L23/538 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 何青瓦 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 封装 结构 | ||
1.一种半导体封装结构,其特征在于,包括:第一半导体封装和堆叠于所述第一半导体封装上的第二半导体封装;
所述第一半导体封装,包括:半导体裸芯片;
所述第二半导体封装,包括:
主体,具有裸 芯片接触面和位于所述裸 芯片接触面对面的凸块接触面;以及
第一动态随机存取存储器裸 芯片,安装于所述凸块接触面之上,并且耦接至所述主体;以及
第二动态随机存取存储器裸 芯片,安装于所述裸 芯片接触面之上,并且由接合线耦接至所述主体;
其中,所述第一动态随机存取存储器裸 芯片的输入/输出引脚的数量不同于所述第二动态随机存取存储器裸 芯片的输入/输出引脚的数量。
2.如权利要求1所述的半导体封装结构,其特征在于,
所述第一动态随机存取存储器裸 芯片的输入/输出引脚的数量大于所述第二动态随机存取存储器裸 芯片的输入/输出引脚的数量的8倍。
3.如权利要求1所述的半导体封装结构,其特征在于,所述第一动态随机存取存储器裸芯片具有硅通孔内连结构,所述硅通孔内连结构穿过所述第一动态随机存取存储器裸 芯片。
4.如权利要求1所述的半导体封装结构,其特征在于,所述第一半导体封装进一步包括:
第一重分布层结构,所述第一重分布层结构上具有第一导电迹线;其中,所述半导体裸芯片耦接于所述第一导电迹线。
5.如权利要求4所述的半导体封装结构,其特征在于,所述第一半导体封装进一步包括:
第一模塑料,围绕所述半导体裸 芯片,并且与所述第一重分布层结构和所述半导体裸芯片接触;以及
第一导电结构,设置在所述第一重分布层结构中远离所述半导体裸 芯片的表面上,其中所述第一导电结构耦接至所述第一导电迹线。
6.如权利要求5所述的半导体封装结构,其特征在于,所述第二半导体封装进一步包括:
第二模塑料,设置在所述主体的凸块接触面之上,并且围绕所述第一动态随机存取存储器裸 芯片;以及
第二重分布层结构,位于所述第二模塑料之上,并且所述第二重分布层结构上具有第二导电迹线;
其中,所述第一动态随机存取存储器裸 芯片位于所述主体和所述第二重分布层结构之间,并且耦接至所述第二导电迹线。
7.如权利要求6所述的半导体封装结构,其特征在于,所述第二半导体封装通过第二通孔耦接至所述第一导电迹线,所述第二通孔穿过位于所述第二半导体封装和所述第一重分布层结构之间的所述第一模塑料。
8.如权利要求7所述的半导体封装结构,其特征在于,所述第二通孔围绕所述半导体裸芯片。
9.如权利要求6所述的半导体封装结构,其特征在于,所述第二动态随机存取存储器裸芯片通过第三通孔耦接至所述第二重分布层结构,所述第三通孔穿过位于所述主体和所述第二重分布层结构之间的所述第二模塑料。
10.如权利要求9所述的半导体封装结构,其特征在于,所述第三通孔围绕所述第一动态随机存取存储器裸 芯片。
11.如权利要求6所述的半导体封装结构,其特征在于,所述第二半导体封装通过第二导电结构安装于所述第一半导体封装之上,所述第二导电结构位于所述第二重分布层结构之上并且耦接所述第二重分布层结构。
12.如权利要求1所述的半导体封装,其特征在于,进一步包括:基底,所述第一和第二半导体封装通过第一导电结构安装于所述基底之上。
13.如权利要求1所述的半导体封装结构,其特征在于,所述半导体裸 芯片之上具有连接垫;所述第一半导体封装还包括:第一通孔,设置在所述半导体裸 芯片之上,并且耦接至所述连接垫。
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