[发明专利]薄膜晶体管阵列基板、其制造方法和显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管阵列基板，所述薄膜晶体管阵列基板包括至少一个薄膜晶体管以及电容器，所述至少一个薄膜晶体管包括：

半导体层，包括在基板上且具有第一掺杂浓度的源极区和漏极区、在所述源极区和所述漏极区之间且具有第二掺杂浓度的沟道区以及从所述源极区和所述漏极区延伸的非掺杂区，所述第二掺杂浓度低于所述第一掺杂浓度；

栅极绝缘层，在所述半导体层上；

栅电极，在所述栅极绝缘层上并且与所述沟道区至少部分叠置；

层间绝缘层，对应地设置在所述非掺杂区上方；

源电极和漏电极，与所述栅电极绝缘并且分别电连接到所述源极区和所述漏极区；以及

平坦化膜，覆盖所述薄膜晶体管并且包括部分暴露所述源电极或所述漏电极的开口，

其中，所述层间绝缘层包括与所述沟道区以及所述源极区和所述漏极区对应的开口，

所述电容器，包括：下电极，在所述非掺杂区延伸的所述半导体层上；以及上电极，与所述下电极绝缘并且与所述下电极至少部分叠置，

其中，所述下电极包括第一电极层和第二电极层，

其中，所述第一电极层由与所述栅电极相同的材料形成，

其中，所述半导体层的所述非掺杂区与所述下电极叠置，

其中，所述半导体层设置在所述基板与所述栅电极之间，

其中，所述栅电极的厚度比所述下电极的厚度薄，

其中，所述层间绝缘层的所述开口的侧壁与所述源极区和所述漏极区的侧壁竖直对齐，并且

其中，所述平坦化膜直接接触所述栅电极、所述源电极和所述漏电极。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于：

所述第一电极层的厚度比所述第二电极层的厚度薄，

所述栅电极的厚度与所述第一电极层的厚度相同。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述上电极包括与所述源电极或所述漏电极相同的材料。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述栅电极包括透明导电材料。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述栅电极的厚度是至

6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，还包括焊盘电极，所述焊盘电极包括与所述源电极和所述漏电极相同的材料并且电连接到所述薄膜晶体管以将电流传输到所述薄膜晶体管。

7.一种显示设备，包括：

根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板；

像素电极，电连接到所述源电极或所述漏电极；以及

对电极，面对所述像素电极，

其中，中间层位于所述像素电极和所述对电极之间，并且包括有机发射层或液晶层。

8.一种制造薄膜晶体管阵列基板的方法，所述方法包括：

在基板的整个表面上形成非掺杂半导体层；

在所述非掺杂半导体层上形成栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层上形成薄膜晶体管的预备-栅电极和电容器的下电极，其中，所述预备-栅电极包括栅电极和位于所述栅电极上的上栅电极；

形成层间绝缘层，所述层间绝缘层覆盖所述下电极并且具有暴露将变成所述薄膜晶体管的沟道区和源极-漏极区的部分的开口；

通过在所述非掺杂半导体层中形成所述源极-漏极区来执行第一掺杂工艺；

形成连接到所述源极-漏极区的源电极和漏电极以及与所述下电极叠置的上电极；

通过在所述非掺杂半导体层上形成所述沟道区来执行第二掺杂工艺；以及

去除所述上栅电极，

所述第二掺杂工艺包括使用所述源电极和所述漏电极作为掩模来注入掺杂剂。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，执行所述第一掺杂工艺的步骤包括使用所述预备-栅电极和所述层间绝缘层作为掩模来注入掺杂剂。