[发明专利]薄膜晶体管阵列基板、其制造方法和显示装置

说明书

公开了薄膜晶体管阵列基板、其制造方法和显示装置。所述薄膜晶体管(TFT)阵列基板包括至少一个TFT，所述至少一个TFT包括：半导体层，包括在基板上且具有第一掺杂浓度的源极区和漏极区、在源极区和漏极区之间且具有第二掺杂浓度的沟道区以及从源极区和漏极区延伸的非掺杂区，第二掺杂浓度低于第一掺杂浓度；栅极绝缘层，在半导体层上；栅电极，在栅极绝缘层上并且与沟道区至少部分叠置；源电极和漏电极，与栅电极绝缘并且分别电连接到源极区和漏极区。

通过引用将于2014年9月15日在韩国知识产权局提交的并且名称为“Thin-FilmTransistor Array Substrate,Method of Manufacturing the Same,and DisplayDevice(薄膜晶体管阵列基板、其制造方法和显示装置)”的第10-2014-0122043号韩国专利申请的全部内容包含于此。

技术领域

一个或更多个示例性实施例涉及薄膜晶体管(TFT)阵列基板、其制造方法和采用TFT阵列基板的显示装置。

背景技术

诸如有机发光显示设备或液晶显示设备的平板显示设备可包括薄膜晶体管(TFT)、电容器和连接TFT和电容器的布线。

发明内容

实施例可通过提供一种薄膜晶体管(TFT)阵列基板来实现，所述TFT阵列基板包括至少一个TFT，所述至少一个TFT包括：半导体层，包括在基板上且具有第一掺杂浓度的源极区和漏极区、在源极区和漏极区之间且具有第二掺杂浓度的沟道区以及从源极区和漏极区延伸的非掺杂区，第二掺杂浓度低于第一掺杂浓度；栅极绝缘层，在半导体层上；栅电极，在栅极绝缘层上并且与沟道区至少部分叠置；源电极和漏电极，与栅电极绝缘并且分别电连接到源极区和漏极区。

TFT阵列基板还可包括电容器，所述电容器包括：下电极，在非掺杂区延伸的半导体层上；上电极，与下电极绝缘并且与下电极至少部分叠置。

栅电极的厚度可比下电极的厚度薄。

下电极可包括第一电极层和第二电极层，第一电极层可由与栅电极相同的材料形成。

第一电极层的厚度可比第二电极层的厚度薄，栅电极的厚度可与第一电极层的厚度相同。

上电极可包括与源电极或漏电极相同的材料。

栅电极可包括透明导电材料。

栅电极的厚度可以是大约至大约

TFT阵列基板还可包括平坦化膜，所述平坦化膜覆盖TFT并且包括部分暴露源电极或漏电极的开口。

所述TFT阵列基板还可包括焊盘电极，焊盘电极包括与源电极和漏电极相同的材料并且电连接到TFT以将电流传输到TFT。

实施例可通过提供一种显示设备来实现，所述显示设备包括：目前公开的薄膜晶体管(TFT)阵列基板；像素电极，电连接到源电极和漏电极；对电极，面对像素电极。中间层可位于像素电极和对电极之间，并且可包括有机发射层或液晶层。

实施例可通过提供一种制造薄膜晶体管(TFT)阵列基板的方法来实现，所述方法包括：在基板的整个表面上形成非掺杂半导体层；在非掺杂半导体层上形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成TFT的预备-栅电极和电容器的下电极；形成层间绝缘层，所述层间绝缘层覆盖下电极并且具有暴露将变成TFT的沟道区和源极-漏极区的部分的开口；通过在非掺杂半导体层中形成源极-漏极区来执行第一掺杂工艺；形成连接到源极-漏极区的源电极和漏电极以及与下电极叠置的上电极；通过在非掺杂半导体层上形成沟道区来执行第二掺杂工艺。

执行第一掺杂工艺的步骤可包括使用预备-栅电极和层间绝缘层作为掩模来注入掺杂剂。

预备-栅电极可包括栅电极和位于栅电极上的上栅电极，所述方法还可包括在执行第二掺杂工艺之前去除上栅电极，第二掺杂工艺可包括使用源电极和漏电极作为掩模来注入掺杂剂。