[发明专利]一种具有低米勒电容的VDMOS器件结构及其制备方法

权利要求书

1.一种具有低米勒电容的VDMOS器件，其元胞结构包括N+型衬底(8)，位于N+衬底(8)正面的N型外延层(7)，位于N+型衬底(8)背面的金属漏电极(9)；N型外延层(7)顶部两侧具有相互平行的两个P-体区(5)，每个P-体区(5)中分别具有相互独立的N+源区(6)和P+体接触区(4)；在两个P-体区(5)之间的N型外延层(7)表面具有厚场氧层(10)，在厚场氧层(10)与两个N+源区(6)之间的区域表面分别具有一层栅氧化层(12)，栅氧化层(12)表面具有多晶硅控制栅电极(2)，厚场氧层(10)表面具有多晶硅屏蔽栅电极(3)；金属源电极(1)与N+源区(6)和P+体接触区(4)相连，多晶硅屏蔽栅电极(3)与金属源电极(1)相连或不相连，金属源电极(1)与多晶硅控制栅电极(2)之间通过隔离介质(11)实现隔离。

2.根据权利要求1所述的具有低米勒电容的VDMOS器件，其特征在于，所述厚场氧层(10)的厚度为微米量级。

3.一种具有低米勒电容的VDMOS器件的制备方法，其特征在于，制备过程包括以下步骤：

1)在N+型衬底(8)表面淀积N型外延层(7)；

2)利用局部氧化工艺在N型外延层(7)表面制作厚场氧层(10)；

3)在N型外延层(7)表面以及厚场氧层(10)表面生长栅氧化层(12)；

4)在厚场氧层(10)表面的栅氧化层(12)表面淀积多晶硅形成多晶硅屏蔽栅电极(3)，在厚场氧层(10)两侧的栅氧化层(12)表面淀积多晶硅形成多晶硅控制栅电极(2)；其中，多晶硅屏蔽栅电极(3)与多晶硅控制栅电极(2)不相接触且同时形成；

5)光刻多晶硅控制栅电极(2)外侧的栅氧化层(12)，露出P-体区(5)注入窗口，然后采用离子注入和推阱工艺形成两个P-体区(5)；再分别在每个P-体区(5)中采用离子注入和推阱工艺形成N+源区(6)和P+体接触区(4)；

6)同传统工艺相同的其他后续工艺步骤。