[发明专利]保护膜、待加工制品及其表面处理方法

权利要求书

1.一种保护膜，其特征在于，所述保护膜由反应性组合物在基底上固化形成并粘附在基底上，所述反应性组合物包括基料，所述基料包括：

第一有机硅聚合物，其为含至少两个乙烯基的聚二甲基硅氧烷；

第二有机硅聚合物，其为含至少三个Si-H键的有机硅氧烷低聚物；

所述第一有机硅聚合物的分子具有如下通式：X_(3-a-b)Ph_bMe_aSiO(Me₂SiO)_n1(MeR1SiO)_m1SiMe_aPh_bX(_3-a-b)；其中，各X分别独立的选自甲基或乙烯基，各R1分别独立的选自乙烯基、苯基、CF₃CH₂CH₂-中的任意一种，Me代表甲基，Ph代表苯基；各a分别独立的选自1或2或3，各b分别独立的选自0或1，n1和m1分别独立的选自大于或等于0的整数，且50≤(m1+n1)≤2000；

所述第二有机硅聚合物的分子具有如下通式：R2Me₂SiO(Me₂SiO)_m2(MeHSiO)_n2SiMe₂R2；其中，各R2分别独立的选自甲基或氢原子，Me代表甲基，m2为大于或等于0的整数，n2为大于或等于3的整数，且8≤(m2+n2)≤98；

所述第一有机硅聚合物中乙烯基的总数量与第二有机硅聚合物中Si-H键的总数量的比在0.9∶1至1.1∶1之间。

2.根据权利要求1所述的保护膜，其特征在于，

所述第一有机硅聚合物和第二有机硅聚合物的重量比在100∶110至100∶3之间。

3.根据权利要求1所述的保护膜，其特征在于，所述反应性组合物还包括：

稀释剂。

4.根据权利要求3所述的保护膜，其特征在于，

在所述反应性组合物中，所述稀释剂的重量百分含量大于0小于等于99％。

5.根据权利要求1所述的保护膜，其特征在于，所述反应性组合物还包括：

填料，其在小于或等于300℃的温度下不发生分解。

6.根据权利要求5所述的保护膜，其特征在于，

所述填料与基料的重量比在0.3∶100至100∶100之间。

7.根据权利要求5所述的保护膜，其特征在于，

所述填料为颜料。

8.根据权利要求5所述的保护膜，其特征在于，

所述填料不含重金属离子和砷离子。

9.根据权利要求8所述的保护膜，其特征在于，

所述重金属离子包括锡离子、铅离子、汞离子、铋离子。

10.根据权利要求1所述的保护膜，其特征在于，所述反应性组合物还包括：

抗氧剂。

11.根据权利要求10所述的保护膜，其特征在于，

在所述反应性组合物中，所述抗氧剂的重量百分含量在0.01％至2％之间。

12.根据权利要求10所述的保护膜，其特征在于，所述抗氧剂中不含以下任意物质：

含氮有机化合物、含磷有机化合物、含硫有机化合物、重金属离子、砷离子、含炔基的化合物、含多烯基的化合物。

13.根据权利要求12所述的保护膜，其特征在于，

所述重金属离子包括锡离子、铅离子、汞离子、铋离子。

14.根据权利要求1所述的保护膜，其特征在于，所述基料还包括：

催化剂。

15.根据权利要求14所述的保护膜，其特征在于，

所述催化剂为过渡金属配合物催化剂。

16.根据权利要求15所述的保护膜，其特征在于，

所述基料中过渡金属的含量在1ppm至500ppm之间。

17.根据权利要求1所述的保护膜，其特征在于，

所述保护膜的厚度在60μm至150μm之间。