[发明专利]保护膜、待加工制品及其表面处理方法

说明书

技术领域

本发明属于表面处理技术领域，具体涉及一种保护膜、待加工制品及其表面处理方法。

背景技术

在对各种机械、电子部件(待加工制品)进行表面处理(抛光、打磨、喷涂、电镀等)时，有时会希望仅对其部分表面进行处理以形成具有特定花纹、图案的结构，其中希望被处理的表面称为“待加工表面”，其余不应被处理的表面为“非待加工表面”。

为实现以上目的，一种方式是在待加工制品的非待加工表面上贴附遮蔽胶带，从而避免其受处理。但是，对于非规则形状的表面或具有细小结构的表面，遮蔽胶带往往难以很好的贴附在其上。

另一种方式是在待加工制品的非待加工表面涂布保护液，之后使保护液固化形成保护膜，用于防止非待加工表面受到处理。但是，这些保护膜本身强度低，且会牢固粘附在待加工制品表面，从而难于被除去，只能通过强效溶剂进行清洗，但这样一方面费时、费工、成本高，另一方面，溶剂也会对身体健康和环境造成不良影响；另外，很多表面处理工艺需要较高的温度和较强的电场，这就对保护膜的耐热性和耐电击穿性提出了较高要求，但现有保护膜的性能往往达不到要求。

发明内容

本发明针对现有的用于待加工制品的保护膜难以除去且耐热性和耐电击穿性不好的问题，提供一种可容易的被完整揭去，且耐热性和耐电击穿性好的保护膜，以及使用该保护膜的待加工制品和该待加工制品的表面处理方法。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种保护膜，所述保护膜由反应性组合物在基底上固化形成并粘附在基底上，所述反应性组合物包括基料，所述基料包括：

第一有机硅聚合物，其为含至少两个乙烯基的聚二甲基硅氧烷；

第二有机硅聚合物，其为含至少三个Si-H键的有机硅氧烷低聚物。

更优选的，所述第一有机硅聚合物的分子具有如下通式：X_(3-a-b)Ph_bMe_aSiO(Me₂SiO)_n1(MeR1SiO)_m1SiMe_aPh_bX(_3-a-b)；其中，各X分别独立的选自甲基或乙烯基，各R1分别独立的选自乙烯基、苯基、CF₃CH₂CH₂-中的任意一种，Me代表甲基，Ph代表苯基；各a分别独立的选自1或2或3，各b分别独立的选自0或1，n1和m1分别独立的选自大于或等于0的整数，且50≤(m1+n1)≤2000；所述第二有机硅聚合物的分子具有如下通式：R2Me₂SiO(Me₂SiO)_m2(MeHSiO)_n2SiMe₂R2；其中，各R2分别独立的选自甲基或氢原子，Me代表甲基，m2为大于或等于0的整数，n2为大于或等于3的整数，且8≤(m2+n2)≤98。

更优选的，所述第一有机硅聚合物中乙烯基的总数量与第二有机硅聚合物中Si-H键的总数量的比在0.9∶1至1.1∶1之间。

优选的，所述反应性组合物还包括：稀释剂。

优选的，所述反应性组合物还包括：填料，其在小于或等于300℃的温度下不发生分解。

优选的，所述反应性组合物还包括：抗氧剂。

优选的，所述基料还包括：催化剂。

本发明的保护膜用于在表面处理过程中保护基底不希望被处理的表面，该保护膜具有良好的耐热性、耐电击穿性，故可在表面处理过程中提供良好的保护；同时，该保护膜与基底间的结合力适当，既可在表面处理过程中粘附在基底上，又可在表面处理完成后被完整的从基底上揭下，故其可被容易的除去。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种待加工制品的表面处理方法，其包括：

在待加工制品的基底的至少部分非待加工表面涂布反应性组合物，并使所述反应性组合物固化形成保护膜；

对所述基底的待加工表面进行表面处理，同时被保护膜遮蔽的非待加工表面不受处理；

将所述保护膜完整的从基底上揭下；

其中，所述反应性组合物包括基料，所述基料包括：

第一有机硅聚合物，其为含至少两个乙烯基的聚二甲基硅氧烷；

第二有机硅聚合物，其为含至少三个Si-H键的有机硅氧烷低聚物。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种待加工制品，其包括基底，所述基底的部分表面为要进行表面处理的待加工表面，其余为非待加工表面，且