[发明专利]一种栅极阵列图形的双重曝光制作方法

权利要求书

1.一种栅极阵列图形的双重曝光制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S01、提供一半导体衬底，并在半导体衬底上依次形成多晶硅薄膜以及光刻胶；

步骤S02、采用第一掩膜版在预设照明条件下对所述光刻胶执行第一次曝光，其中，所述第一掩膜版具有栅极线条图案或线端切割图案，栅极线条图案或线端切割图案的重叠区域的透射率为40％～60％；

步骤S03、采用第二掩膜版在预设照明条件下对所述光刻胶执行第二次曝光，其中，所述第二掩膜版具有线端切割图案或栅极线条图案，栅极线条图案或线端切割图案的重叠区域的透射率为40％～60％，且两次曝光叠加后透射率为100％；

步骤S04、通过曝光后烘焙以及显影工艺使光刻胶中形成栅极线条图案以及线端切割图案；

步骤S05、采用刻蚀工艺在多晶硅薄膜上形成栅极线条图案以及线端切割图案组合成的目标图形。

2.根据权利要求1所述的栅极阵列图形的双重曝光制作方法，其特征在于，所述步骤S02之后，对光刻胶进行第一次曝光后烘焙，使光刻胶中形成第一掩膜版上的图形。

3.根据权利要求2所述的栅极阵列图形的双重曝光制作方法，其特征在于，在第一次曝光后烘焙完成后，半导体衬底存储至机台晶圆存储模块中，等待执行步骤S03中的第二次曝光。

4.根据权利要求1所述的栅极阵列图形的双重曝光制作方法，其特征在于，所述步骤S02中，第一掩膜版上具有线端切割图案，所述步骤S03中，第二掩膜版上具有栅极线条图案。

5.根据权利要求4所述的栅极阵列图形的双重曝光制作方法，其特征在于，所述线端切割图案与栅极线条图案相垂直。

6.根据权利要求1所述的栅极阵列图形的双重曝光制作方法，其特征在于，所述步骤S02中与步骤S03中的预设照明条件不相同。

7.根据权利要求1所述的栅极阵列图形的双重曝光制作方法，其特征在于，所述步骤S01中，涂覆光刻胶后，对光刻胶进行加热烘焙工艺以固化所述光刻胶。