[发明专利]用于半导体器件的封装及其组装方法有效
申请号: | 201510591379.2 | 申请日: | 2015-09-16 |
公开(公告)号: | CN105470212B | 公开(公告)日: | 2019-01-01 |
发明(设计)人: | C·卡奇雅 | 申请(专利权)人: | 意法半导体(马耳他)有限公司 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L21/56;H01L25/065;B81B7/02 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华 |
地址: | 马耳他*** | 国省代码: | 马耳他;MT |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 半导体器件 封装 及其 组装 方法 | ||
1.一种半导体封装,包括:
ASIC裸片,包括第一表面和在所述第一表面上的第一接触焊盘;
MEMS裸片,包括帽盖和衬底,所述帽盖包括第二表面和第三表面以及在所述第二表面上的第二接触焊盘和第三接触焊盘,所述衬底包括第四表面和第五表面,所述衬底的所述第四表面被耦合至所述帽盖的所述第三表面,所述衬底的所述第五表面被耦合到所述ASIC裸片的所述第一表面;
第一导线,所述第一导线具有耦合至所述ASIC裸片的所述第一接触焊盘的第一末端以及耦合至所述帽盖的所述第二接触焊盘的第二末端;
导电凸块,耦合至所述帽盖的所述第三接触焊盘;以及
模制化合物,在所述ASIC裸片的所述第一表面、所述第一导线、以及所述MEMS裸片之上,所述导电凸块的一部分从所述模制化合物的表面延伸。
2.根据权利要求1所述的半导体封装,进一步包括:重分布层,位于所述帽盖的所述第二表面上并且包括将所述导电凸块电耦合至所述帽盖的所述第三接触焊盘的导电迹线和焊盘。
3.根据权利要求1所述的半导体封装,其中所述MEMS裸片的一个或多个尺寸小于所述ASIC裸片的一个或多个尺寸。
4.根据权利要求1所述的半导体封装,其中所述MEMS裸片被嵌入所述模制化合物中。
5.根据权利要求1所述的半导体封装,其中所述导电凸块耦合至电路板。
6.根据权利要求1所述的半导体封装,其中所述ASIC裸片包括形成所述半导体封装的外表面的另一表面。
7.一种半导体封装,包括:
ASIC裸片,具有第一表面,并且具有位于所述第一表面上的第一组的接触焊盘以及第二组的接触焊盘;
连接器裸片,包括导电层和绝缘层并且具有第一组的接触焊盘以及第二组的接触焊盘;
MEMS裸片,位于所述连接器裸片与所述ASIC裸片之间,所述MEMS裸片具有多个键合焊盘;
导电凸块,耦合至所述连接器裸片的所述第一组的接触焊盘;
第一组的导线,具有耦合至所述连接器裸片的所述第二组的接触焊盘的第一末端以及耦合至所述ASIC裸片的所述第一组的接触焊盘的第二末端;
第二组的导线,具有耦合至所述MEMS裸片的所述多个键合焊盘的第一末端以及耦合至所述ASIC裸片的所述第二组的接触焊盘的第二末端;
模制化合物,在所述ASIC裸片的所述第一表面、所述连接器裸片、所述MEMS裸片以及所述第一组的导线和所述第二组的导线之上,所述导电凸块的一部分从所述模制化合物的表面延伸。
8.根据权利要求7所述的半导体封装,其中所述第一组的接触焊盘与所述ASIC裸片的第一侧邻近并且所述第二组的接触焊盘与所述ASIC裸片的第二侧邻近。
9.根据权利要求8所述的半导体封装,其中所述MEMS裸片耦合至所述ASIC裸片的所述第一表面,介于所述ASIC裸片的所述第一组的接触焊盘与所述第二组的接触焊盘之间。
10.根据权利要求7所述的半导体封装,其中所述连接器裸片形成帽盖以覆盖所述MEMS裸片的传感器。
11.根据权利要求7所述的半导体封装,其中所述ASIC裸片具有与所述第一表面相对的第二表面,所述第二表面形成所述半导体封装的外表面。
12.根据权利要求7所述的半导体封装,其中所述连接器裸片具有延伸超出所述MEMS裸片的部分。
13.根据权利要求7所述的半导体封装,其中所述连接器裸片和所述导电凸块被配置成将所述ASIC裸片电耦合至所述半导体封装的外部的另一部件。
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