[发明专利]碳铜双掺蓝宝石晶体及其制备方法在审
申请号: | 201510591533.6 | 申请日: | 2015-09-17 |
公开(公告)号: | CN105369352A | 公开(公告)日: | 2016-03-02 |
发明(设计)人: | 徐民;杭寅;洪佳琪;王向永;陈喆;王亚琦 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
主分类号: | C30B29/20 | 分类号: | C30B29/20;C30B11/04 |
代理公司: | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人: | 张泽纯;张宁展 |
地址: | 201800 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 碳铜双掺 蓝宝石 晶体 及其 制备 方法 | ||
1.一种碳铜双掺蓝宝石晶体,其特征在于该晶体的化学式为Cx·(CuO)y·(Al2O3)1-x-y,所述x、y为重量百分比,取值范围为:0.01wt%≤x≤1wt%和0.01wt%≤y≤0.5wt%。
2.权利要求1所述的碳铜双掺蓝宝石晶体的制备方法,其特征在于该方法包括下列步骤:
①原料配方:
碳铜双掺蓝宝石晶体,即Cx·(CuO)y·(Al2O3)1-x-y晶体的生长原料采用纯度为99.99%的C,99.99%的CuO和99.999%的Al2O3,选定x和y值,并按重量百分比x:y:(1-x-y)进行称量配料;
②采用熔体法生长碳铜双掺蓝宝石晶体:
采用分步烧料法制备长晶用料:先将C和Al2O3装入钨坩埚或钼坩埚内,放进惰性气氛保护的高温烧料炉内,采用100~300℃/h的速率升温至2000~2050℃,保温2~5小时后以150~400℃/h的速率降温至室温,再将CuO装入上述盛有C和Al2O3烧结料的坩埚内,重复上述烧结过程;或先将CuO和Al2O3装入钨坩埚或钼坩埚内烧结一次,再添入C重复烧结,最后从坩埚中取出掺有C、Cu元素的Al2O3料;
③采用熔体法生长晶体。
3.根据权利要求2所述的碳铜双掺蓝宝石晶体的制备方法,特征在于所述的熔体法为温度梯度法,所述的长晶用坩埚为钨坩埚或钼坩埚,坩埚底部可以放入<11-20>或<0001>方向的纯蓝宝石籽晶,或不放入籽晶,晶体生长在Ar气氛中进行,原料升温熔化速率80~150℃/h,熔体降温结晶速率0.5~5℃/h,晶体降温冷却速率10~50℃/h。
4.根据权利要求2所述的碳铜双掺蓝宝石晶体的制备方法,特征在于所述的熔体法为提拉法,所述的长晶用坩埚为铱坩埚,籽晶为<11-20>或<0001>方向的纯蓝宝石单晶棒,晶体生长在Ar气氛中进行,晶体提拉速率0.5~3mm/h,转速10~30rpm。
5.根据权利要求2所述的碳铜双掺蓝宝石晶体的制备方法,特征在于所述的熔体法为坩埚下降法,所述的长晶用坩埚为钨坩埚或钼坩埚,坩埚底部放入<11-20>或<0001>方向的纯蓝宝石籽晶,或不放入籽晶,晶体生长在Ar气氛中进行,坩埚下降速率0.1~3mm/h。
6.根据权利要求2所述的碳铜双掺蓝宝石晶体的制备方法,特征在于所述的熔体法为热交换法,所述的长晶用坩埚为钼坩埚,坩埚底部放入<11-20>或<0001>方向的纯蓝宝石籽晶或不放入籽晶,晶体生长在流动的He气氛中进行,原料升温熔化速率60~150℃/h,熔体降温结晶速率0.2~2.5℃/h,晶体降温冷却速率50~80℃/h。
7.根据权利要求2所述的碳铜双掺蓝宝石晶体的制备方法,特征在于所述的熔体法为泡生法,所述的长晶用坩埚为钨坩埚,籽晶为<11-20>或<0001>方向的纯蓝宝石单晶棒,晶体生长在1×10-3~1×10-4Pa真空环境下进行,原料升温熔化速率50~150℃/h,熔体降温结晶速率0.1~3℃/h,晶体提拉速率0.05~3mm/h,晶体降温冷却速率30~80℃/h。
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