[发明专利]一种改善晶圆边缘产品良率的方法有效

专利信息
申请号: 201510591788.2 申请日: 2015-09-17
公开(公告)号: CN105280476B 公开(公告)日: 2018-04-06
发明(设计)人: 刘鹏;任昱;吕煜坤;张旭昇 申请(专利权)人: 上海华力微电子有限公司
主分类号: H01L21/02 分类号: H01L21/02
代理公司: 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275 代理人: 吴世华,陈慧弘
地址: 201210 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 改善 边缘 产品 方法
【权利要求书】:

1.一种改善晶圆边缘产品良率的方法,其特征在于,包括:

步骤S01:提供一半导体晶圆,在晶圆上依次沉积垫层氧化膜、氮化硅硬掩模层,然后涂敷光刻胶,通过光刻、刻蚀去掉场区的垫层氧化膜和氮化硅硬掩模层,其中包括进行去除晶圆边缘光刻胶的第一次晶圆边缘曝光工艺;接着,在场区形成STI沟槽,并全面沉积一介质膜保护层,以进行沟槽填充;

步骤S02:在介质膜保护层上沉积一研磨停止层;

步骤S03:涂布光刻负胶,进行第二次晶圆边缘曝光,使晶圆边缘曝光区域的光刻负胶保留,而将晶圆边缘曝光区域以外的光刻负胶去除;然后,刻蚀去除光刻负胶覆盖区域以外的研磨停止层,停止在介质膜保护层上;

步骤S04:进行STI CMP工艺,将氮化硅硬掩模层和研磨停止层作为研磨时的保护层,以在STI的氮化硅硬掩模层去除工艺后,使整个晶圆边缘曝光区域的介质膜保护层得以保留。

2.根据权利要求1所述的改善晶圆边缘产品良率的方法,其特征在于,所述研磨停止层的材料为氮化硅或多晶硅。

3.根据权利要求1或2所述的改善晶圆边缘产品良率的方法,其特征在于,所述研磨停止层的厚度为100~5000埃。

4.根据权利要求1所述的改善晶圆边缘产品良率的方法,其特征在于,所述介质膜保护层的材料为氧化硅。

5.根据权利要求1所述的改善晶圆边缘产品良率的方法,其特征在于,所述第二次晶圆边缘曝光时光刻负胶的设定去边距离与第一次晶圆边缘曝光时光刻胶的设定去边距离之差不超过-0.5mm。

6.根据权利要求2所述的改善晶圆边缘产品良率的方法,其特征在于,通过PECVD工艺沉积氮化硅或多晶硅研磨停止层。

7.根据权利要求2所述的改善晶圆边缘产品良率的方法,其特征在于,通过炉管工艺生长氮化硅或多晶硅研磨停止层。

8.根据权利要求1所述的改善晶圆边缘产品良率的方法,其特征在于,步骤S03中,采用研磨停止层对介质膜保护层高选择比的刻蚀工艺,刻蚀去除光刻负胶覆盖区域以外的研磨停止层。

9.根据权利要求8所述的改善晶圆边缘产品良率的方法,其特征在于,所述研磨停止层对介质膜保护层的刻蚀选择比大于2:1。

10.根据权利要求1或8所述的改善晶圆边缘产品良率的方法,其特征在于,步骤S03中,采用干法刻蚀或者湿法刻蚀工艺,刻蚀去除光刻负胶覆盖区域以外的研磨停止层。

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