[发明专利]用于表面贴装半导体器件的改进的封装及其制造方法有效
申请号: | 201510591929.0 | 申请日: | 2015-09-16 |
公开(公告)号: | CN105702657B | 公开(公告)日: | 2019-01-11 |
发明(设计)人: | F·马奇希 | 申请(专利权)人: | 意法半导体股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/495 | 分类号: | H01L23/495;H01L23/31;H01L21/50 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华 |
地址: | 意大利阿格*** | 国省代码: | 意大利;IT |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 表面 半导体器件 改进 封装 及其 制造 方法 | ||
1.一种表面贴装电子器件包括:
-半导体材料的本体(20);
-引线框架(4),形成多个接触端子(70);以及
-封装电介质区域(69),覆盖所述半导体材料的本体(20);
并且其中每个接触端子(70)包括由所述封装电介质区域(69)覆盖的内部部分和在侧向上凸出到所述封装电介质区域(69)之外并且通过第一侧向表面(Sflank1)界定的外部部分,对于每个接触端子(70),所述器件进一步包括:在对应的第一侧向表面(Sflank1)上延伸的抗氧化区域(60)。
2.根据权利要求1所述的电子器件,其中所述封装电介质区域(69)形成边缘(E),所述接触端子(70)的至少一部分沿着所述边缘(E)延伸。
3.根据权利要求1或权利要求2所述的电子器件,其中每个接触端子(70)通过设计成焊接到印刷电路板(72)上的底表面(Sinf)界定。
4.根据权利要求1或权利要求2所述的电子器件,所述电子器件是QFN类型的。
5.根据权利要求1或权利要求2所述的电子器件,其中所述内部部分形成第二侧向表面(Sflank2),并且其中所述外部部分在顶部处通过横向表面(I1)界定,所述横向表面(I1)连接到所述第一侧向表面(Sflank1)和所述第二侧向表面(Sflank2)并且横切所述第一侧向表面(Sflank1)和所述第二侧向表面(Sflank2)。
6.根据权利要求1或权利要求2所述的电子器件,其中所述外部部分在顶部处通过横向表面(I1)和通过第二侧向表面(Sflank2)界定,并且其中所述横向表面(I1)连接到所述第一侧向表面(Sflank1)和所述第二侧向表面(Sflank2)并且与所述第一侧向表面(Sflank1)基本上垂直,所述第二侧向表面(Sflank2)以包括8°和12°之间的角度相对于所述第一侧向表面(Sflank1)倾斜。
7.一种用于制造表面贴装电子器件的方法,包括步骤:
-执行组件(3)的第一切割,所述组件(3)至少包括一个第一裸片焊盘(6')和一个第二裸片焊盘(6)以及分别布置在所述第一裸片焊盘(6')和所述第二裸片焊盘(6)的顶上的至少一个第一半导体本体(20)和一个第二半导体本体(22),所述组件(3)进一步包括布置在第一裸片焊盘(6')和第二裸片焊盘(6)之间的多个端子区域(8)以及覆盖所述第一半导体本体(20)和所述第二半导体本体(22)和所述端子区域(8)的电介质区域(36),每个端子区域(8)通过彼此相对的第一区域表面(S1)和第二区域表面(S2)界定,所述第一区域表面(S1)面对所述电介质区域(36),从相应的第二区域表面(S2)开始进行所述第一切割使得去除所述端子区域(8')中的每个端子区域的一部分,使得所述端子区域(8')形成凹槽(R)的横向壁(T)和第一侧壁(L1)和第二侧壁(L2);
-利用抗氧化层(52)涂覆由每个端子区域(8')形成的所述第一侧壁(L1)和所述第二侧壁(L2);以及
-从所述电介质区域(36)开始执行所述组件(3)的第二切割以便针对每个端子区域(8')去除形成对应的横向壁(T)的相应顶部部分(45),并且将所述第一半导体本体(20)和第二半导体本体(22)分离;
并且其中所述第二切割具有大于所述第一切割的宽度的宽度。
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