[发明专利]处理半导体器件的方法和芯片封装

权利要求书

1.一种处理半导体器件的方法，所述方法包括：

提供包括接触焊盘和聚合物层的半导体器件；以及

使接触焊盘和聚合物层的至少部分经受包括氨气的等离子体。

2.权利要求1的所述方法，其中，借助于使聚合物层的部分经受等离子体，增加聚合物的表面粗糙度。

3.权利要求1的所述方法，其中接触焊盘和聚合物层中的至少一个包括卤素污染，并且其中接触焊盘和聚合物层中的至少一个的卤素污染借助于使接触焊盘和聚合物层中的至少一个经受等离子体而被减少。

4.权利要求3的所述方法，其中卤素污染包括氟污染。

5.权利要求1的所述方法，其中聚合物层包括聚酰亚胺。

6.权利要求1的所述方法，其中接触焊盘包括以下中的至少一个：铜、铝、铜合金和铝合金。

7.权利要求1的所述方法，其中等离子体进一步包括氧气。

8.权利要求1的所述方法，其中等离子体进一步包括氢气。

9.权利要求1的所述方法，其中接触焊盘包括铝和铝合金中的至少一个，并且等离子体包括氨气以及氢气和氧气中的一个的混合物。

10.权利要求1的所述方法，其中接触焊盘包括铜和铜合金中的至少一个，并且等离子体包含氨气和氢气的混合物。

11.权利要求1的所述方法，进一步包括：

使接触焊盘和聚合物层的至少部分经受包括氧气的第二等离子体。

12.权利要求1的所述方法，其中使接触焊盘经受等离子体被执行达从大约5秒到大约1000秒的范围内的时间段。

13.权利要求3的所述方法，其中提供半导体器件包括：

在半导体器件的衬底上或在半导体器件的衬底之上形成接触焊盘；

在至少接触焊盘之上形成聚合物；以及

借助于部分去除聚合物暴露接触焊盘的至少部分；

其中，对于暴露接触焊盘的部分而言，使用至少一个含卤素的蚀刻剂，其中刻蚀引起接触焊盘和聚合物层中的至少一个的卤素污染。

14.一种处理半导体器件的方法，所述方法包括：

提供包括接触焊盘以及包括聚酰亚胺的聚合物层的半导体器件，所述接触焊盘包括铝、铜、铝合金和铜合金中的至少一个；

使接触焊盘和聚合物层的至少部分经受包括氨气的等离子体。

15.权利要求15的所述方法，

其中等离子体进一步包括氧气或氢气。

16.一种芯片封装，包括：

芯片；

布置在芯片之上的接触焊盘；

布置在芯片之上的聚合物层，其中所述聚合物层的表面具有在10nm与200nm之间的表面粗糙度；以及

设置在聚合物层的表面之上的芯片封装材料；

其中接触焊盘的表面层中的卤素的原子浓度等于或低于5％。