[发明专利]处理半导体器件的方法和芯片封装

说明书

技术领域

各种实施例通常涉及处理半导体器件的方法，并且涉及芯片封装。

背景技术

在现代半导体器件或集成电路（IC）（例如芯片）的制作中，一个或多个接触焊盘（也被称为接合焊盘，或简单地说为焊盘）可以被提供以从外部将器件或电路电接触/将器件或电路电接触到外部。可以在器件上布置聚合物，例如聚合物层，例如钝化层，例如聚酰亚胺钝化层。在该上下文中，针对半导体器件的有效处理方法，例如用于处理半导体器件的表面（也被称为表面处理或表面调节过程）的方法可以需要以使半导体器件（例如半导体器件的表面）适合于进一步处理和使用。

发明内容

在各种实施例中，提供一种处理半导体器件的方法。方法可以包含：提供包括接触焊盘和聚合物层的半导体器件；以及使接触焊盘和聚合物层的至少部分经受包括氨气的等离子体。

附图说明

在附图中，贯穿不同视图，同样的参考标记通常指代相同的部分。附图不必成比例，而是将重点通常放在图解本发明的原理。在下面的描述中，参考下面的附图来描述本发明的各种实施例，在附图中：

图1示出图解依据实施例的处理半导体器件的方法的图；

图2A示出在左边的依据实施例的聚合物模制化合物界面的示意图，以及在右边的聚酰亚胺表面的SEM显微照片；图2B示出在左边的依据实施例的接触焊盘模制化合物界面的示意图，以及在右边的接触焊盘表面的SEM显微照片；

图3A到3C示出图解依据各种实施例的处理半导体器件的方法的示意视图；

图4示出在施加依据实施例的处理半导体器件的方法之前（顶）和在施加该方法之后（底）的聚合物表面（左边）的SEM显微照片，以及在施加依据实施例的处理半导体器件的方法之前（顶）和在施加该方法之后（底）的接触焊盘（右边）的SEM显微照片；

图5示出在施加依据各种实施例的处理半导体器件的方法之前和之后的聚合物表面的SEM显微照片；

图6示出三个图，每个图解接触焊盘中的各种原子的原子浓度的深度分布用于展示施加依据各种实施例的处理半导体器件的方法对接触焊盘的氟浓度的影响；以及

图7示出依据各种实施例的芯片封装。

具体实施方式

下面的详细描述参考附图，附图通过图示的方式示出在其中可以实践本发明的特定细节和实施例。以足够的细节来描述这些实施例使本领域技术人员能够实践本发明。在不脱离本发明的范围的情况下，可以利用其它实施例并且可以做出结构的、逻辑的或电的改变。各种实施例不必相互排斥，因为一些实施例能够与一个或多个其它实施例组合以形成新的实施例。因此，下面的详细描述不以限制的意义进行理解，并且本发明的范围由所附的权利要求限定。

如在本文中使用的术语“至少一个”可以被理解成包含等于或大于一的任何整数，即“一”、“二”、“三”、…、等。

除非另外指示，如在本文中使用的术语“多个”可以被理解成包含等于或大于二的任何整数，即“二”、“三”、“四”、…、等。

如在本文中使用的术语“耦合”或“连接”可以被理解成分别包含直接“耦合”或直接“连接”以及间接“耦合”或间接“连接”。

如在本文中使用的术语“接触焊盘”、“接合焊盘”或“焊盘”可以被理解成包含集成电路（IC）元件或器件的表面处（例如管芯或芯片的表面处）的指定的金属化区域，该指定的金属化区域可以被用来从外部将IC元件/器件电接触/将IC元件/器件电接触到外部。这可以例如包含焊盘，该焊盘可以使用接合工艺，诸如例如线接合工艺、楔形接合工艺或球形接合工艺而被电接触（其它接合工艺，诸如例如夹附接也可以是可能的）。术语“接触焊盘”、“接合焊盘”或“焊盘”可以在本文中被可互换地使用。