[发明专利]用牺牲支撑材料无塌陷干燥高深宽比结构的系统和方法

权利要求书

1.一种用于干燥包括多个高深宽比(HAR)结构的衬底的方法，其包括：

在分别使用湿法蚀刻流体和湿法清洗流体中的至少一种来对所述衬底进行湿法蚀刻和湿法清洗中的至少一种且不干燥所述衬底之后：

使用包括支撑材料的溶剂置换在所述多个高深宽比(HAR)结构之间的流体，

其中，在所述溶剂汽化之后，所述支撑材料从溶液析出且至少部分地填充所述多个高深宽比(HAR)结构；以及

使所述多个高深宽比(HAR)结构暴露于非等离子体基刺激，以去除所述支撑材料。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述支撑材料是聚合物基。

3.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述暴露之前，沉积包括光生酸剂的膜，

其中，所述非等离子体基刺激包括辐射。

4.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述暴露之前，沉积包括热生酸剂的膜，

其中，所述非等离子体基刺激包括升高的温度。

5.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述非等离子体基刺激被提供在所述多个高深宽比(HAR)结构的顶部部分处；并且，

响应于所述非等离子体基刺激，降解前缘通过所述支撑材料而从与所述多个高深宽比(HAR)结构的所述顶部部分相邻的所述支撑材料的顶部部分移动至与所述多个高深宽比(HAR)结构的底部部分相邻的所述支撑材料的底部部分。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多个高深宽比(HAR)结构之间的所置换的所述流体包括所述湿法蚀刻流体和所述湿法清洗流体中的至少一种。

7.根据权利要求1所述的方法，还包括用过渡流体置换所述湿法蚀刻流体和所述湿法清洗流体中的所述至少一种，并且，其中，所置换的所述流体包括所述过渡流体。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述非等离子体基刺激启动所述支撑材料中的聚合物断链。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述非等离子体基刺激启动所述支撑材料中的解聚。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述非等离子体基刺激包括紫外(UV)光、一种或更多种化学品、一种或更多种化学蒸气和升高的温度中的至少一种。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，使用旋涂将包括所述支撑材料的所述溶剂施加至所述衬底。

12.根据权利要求1所述的方法，其中，所述方法在处理室中执行，并且，还包括在使所述多个高深宽比(HAR)结构暴露于所述非等离子体基刺激期间和/或之后降低所述处理室中的压强。

13.根据权利要求1所述的方法，其中，所述方法在处理室中执行，并且，其中，所述湿法蚀刻和所述湿法清洗中的至少一种也在所述处理室中执行。

14.根据权利要求1所述的方法，其中，所述支撑材料包括聚(对位甲氧基-a-甲基苯乙烯)，并且，所述非等离子体基刺激包括酸和温度中的至少一种。

15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述酸包括氢溴酸和三氟乙酸中的至少一种。

16.根据权利要求1所述的方法，其中，所述支撑材料包括聚(邻苯二甲醛)，并且，所述非等离子体基刺激包括酸和温度中的至少一种。

17.根据权利要求1所述的方法，其中，所述支撑材料包括聚(甲基四氢化萘)衍生物，并且，所述非等离子体基刺激包括酸。