[发明专利]用牺牲支撑材料无塌陷干燥高深宽比结构的系统和方法

说明书

本发明涉及用牺牲支撑材料无塌陷干燥高深宽比结构的系统和方法。在分别使用湿法蚀刻流体和/或湿法清洗流体中的至少一种来对包括多个高深宽比(HAR)结构的衬底进行湿法蚀刻和/或湿法清洗中的至少一种且不干燥该衬底之后，执行用于干燥该衬底的系统和方法。使用包括支撑材料的溶剂来置换多个HAR结构之间的流体。在溶剂汽化之后，支撑材料从溶液析出且至少部分地填充多个HAR结构。多个HAR结构暴露于非等离子体基刺激，以去除支撑材料。

技术领域

本公开涉及用于处理衬底的系统和方法，更具体地，涉及用于无塌陷地干燥衬底的高深宽比(HAR)结构的系统和方法。

背景技术

在此提供的背景描述出于大体上提供本公开的背景的目的。在本背景段落中描述的程度上的目前提名的发明者的工作和在申请时可能无资格另外作为现有技术的描述的方面既未清楚地，也未隐含地被承认作为针对本公开的现有技术。

诸如半导体晶片之类的衬底的制作典型地要求多个处理步骤，处理步骤可能包括材料沉积、平坦化、特征图案形成、特征蚀刻和/或特征清洗。这些处理步骤典型地在处理衬底期间重复一次或多次。

随着半导体器件持续缩小至较小的特征尺寸，日益要求高深宽比(HAR)结构来达到期望的器件性能目标。HAR结构的使用对一些衬底处理步骤产生了挑战。例如，由于在干燥衬底的期间生成的毛细作用力而导致诸如蚀刻和清洗的湿法处理引起关于HAR结构的问题。毛细作用力的强度取决于正被干燥的蚀刻流体、清洗流体或漂洗流体的表面张力、接触角，特征间距和/或结构的深宽比。如果在干燥期间生成的毛细作用力太高，则HAR结构将被拉紧或塌陷于彼此上，从而严重地降低器件产量。

为了解决这一问题，一种方法使用具有比去离子水更低的表面张力的漂洗液体来防止结构塌陷。该方法虽然对于相对地较低的深宽比的结构而言大体上是成功的，但具有与使用去离子水的方法相同的塌陷和粘滞问题。漂洗流体仍然具有有限的量的表面张力，该表面张力在干燥期间生成对于脆性HAR结构而言仍然太强的力。

备选的用于干燥HAR结构的方法牵涉利用超临界流体来使漂洗流体溶解并冲洗漂洗流体。超临界流体在被适当地处理时无表面张力。然而，在使用超临界流体时，出现若干技术和制造挑战。挑战包括较高的装备和安全成本、较长的处理时间、在处理期间可变的溶剂质量、由于流体的扩散和可调的性质而导致的极大的灵敏度以及由超临界流体与处理室的构件的相互作用引起的晶片缺陷/污染问题。

另一用于防止高深宽比结构的塌陷的策略是添加支承结构的永久性机械支撑结构。对于包括较高的成本和负面地影响生产能力和产量的处理复杂性的该方法存在若干折中方案。此外，永久性机械支撑结构限于支承某些类型的HAR结构。

作为备选的用于干燥HAR结构的方法，还提出了冷冻干燥。冷冻干燥通过首先冷冻溶剂且然后直接地在真空下升华而消除塌陷。冷冻干燥避免使毛细作用力最小化的液体/蒸气界面。虽然有希望，但与竞争的方法相比，冷冻干燥具有相对地较高的成本、较低的生产能力和较大的缺陷。

还可以执行HAR结构的侧壁的表面改性。在该方法中，小分子可以化学地粘合至HAR结构的侧壁。小分子通过防止材料接触时的材料的粘滞或通过变更湿法化学制程的接触角以使拉普拉斯(Laplace)压强最小化而改善塌陷性能。表面改性未完全地消除干燥处理期间的可能造成损坏的干燥力和结构变形。此外，在改变表面材料时，要求新定制的分子粘合至HAR结构的侧壁。

发明内容

在分别使用湿法蚀刻流体和/或湿法清洗流体中的至少一种来对包括多个高深宽比(HAR)结构的衬底进行湿法蚀刻和/或湿法清洗中的至少一种且不干燥该衬底之后，执行用于干燥该衬底的方法。该方法包括使用包括支撑材料的溶剂来置换多个HAR结构之间的流体。在溶剂汽化之后，支撑材料从溶液析出且至少部分地填充多个HAR结构。多个HAR结构暴露于非等离子体基刺激，以去除支撑材料。