[发明专利]阵列基板、显示装置及阵列基板的制备方法

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：

显示区域，包括显示区域TFT，所述显示区域交叉设置有数据线、栅线、下层透明电极和上层透明电极；

GOA区域，包括GOA区域TFT、GOA区域电极层和电路保护层，所述GOA区域设置有至少一个第一过孔和至少一个第二过孔，所述第一过孔的底部为数据线金属层，所述第二过孔的底部为栅线金属层；所述GOA区域电极层通过所述第一过孔与所述GOA区域TFT电连接，所述GOA区域电极层通过所述第二过孔与外部驱动电路电连接，其中，所述GOA区域电极层与所述下层透明电极利用同层同构图工艺形成，所述电路保护层与所述上层透明电极利用同层同构图工艺形成；

所述显示区域和所述GOA区域之上覆盖有第一绝缘层和第二绝缘层；所述下层透明电极设在所述第一绝缘层和所述第二绝缘层之间，所述上层透明电极设在第二绝缘层之上；所述电路保护层覆盖在所述GOA区域的上方，用于屏蔽外部电磁干扰及保护所述GOA区域的电路免受腐蚀；

其中，所述GOA区域电极层与所述下层透明电极同层，所述电路保护层与所述上层透明电极同层；所述下层透明电极为像素电极，所述上层透明电极为公共电极；或者，所述下层透明电极为公共电极，所述上层透明电极为像素电极。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述GOA区域电极层和所述电路保护层均为透明导电薄膜。

3.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-2任一项所述的阵列基板。

4.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

在衬底上形成TFT，所述TFT包括GOA区域TFT和显示区域TFT；

在所述TFT之上形成第一绝缘层；

在所述第一绝缘层的GOA区域中形成第一过孔和第二过孔，所述第一过孔的底部为数据线金属层，所述第二过孔的底部为栅线金属层；

在所述显示区域对应的所述第一绝缘层之上形成下层透明电极，并在所述GOA区域对应的所述第一绝缘层之上形成GOA区域电极层，使所述GOA区域电极层与所述下层透明电极同层，所述GOA区域电极层通过所述第一过孔与所述GOA区域TFT电连接，所述GOA区域电极层层通过所述第二过孔与外部驱动电路电连接；

在所述下层透明电极和所述GOA区域电极层之上形成第二绝缘层；

在所述显示区域对应的所述第二绝缘层之上形成上层透明电极，并在所述GOA区域对应的第二绝缘层之上形成电路保护层，使所述电路保护层与所述上层透明电极同层，所述电路保护层用于屏蔽外部电磁干扰及保护所述GOA区域的电路免受腐蚀；

其中，所述下层透明电极为像素电极，所述上层透明电极为公共电极；或者，所述下层透明电极为公共电极，所述上层透明电极为像素电极。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在所述显示区域对应的所述第一绝缘层之上形成下层透明电极，并在所述GOA区域对应的所述第一绝缘层之上形成GOA区域电极层的步骤包括：

在所述第一绝缘层之上沉积一层透明导电薄膜，通过光刻将所述显示区域对应的透明导电薄膜形成下层透明电极、将所述GOA区域对应的透明导电薄膜形成GOA区域电极层。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在所述显示区域对应的所述第二绝缘层之上形成上层透明电极，并在所述GOA区域对应的第二绝缘层之上形成电路保护层的步骤包括：

在所述第二绝缘层之上沉积一层透明导电薄膜，通过光刻将所述显示区域对应的透明导电薄膜形成上层透明电极、将所述GOA区域对应的透明导电薄膜形成电路保护层。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述透明导电薄膜为ITO。