[发明专利]阵列基板、显示装置及阵列基板的制备方法

说明书

本发明提供了一种阵列基板、显示装置及阵列基板的制备方法。阵列基板包括显示区域和GOA区域。显示区域包括显示区域TFT，显示区域交叉设置有数据线和栅线。GOA区域包括GOA区域TFT、GOA区域电极层和电路保护层，GOA区域设有至少一个第一过孔和至少一个第二过孔，第一过孔的底部为数据线金属层，第二过孔的底部为栅线金属层；GOA区域电极层通过第一过孔与GOA区域TFT电连接，GOA区域电极层通过第二过孔与外部驱动电路电连接，电路保护层覆盖在GOA区域的上方，用于屏蔽外部电磁干扰及保护GOA区域的电路免受腐蚀。本发明能保护保护GOA区域的电路免受电磁干扰和腐蚀，提升了屏幕的品质。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种阵列基板、显示装置及阵列基板的制备方法。

背景技术

在GOA(Gate Driver on Array，阵列基板行驱动)技术中，GOA单元集成在显示装置的阵列基板上，阵列基板包括显示区域和GOA区域，其中，显示区域上交叉设置有数据线和栅线。GOA区域分布了多个GOA单元，该GOA区域包括多个薄膜晶体管(Thin-filmtransistor，TFT)，各GOA单元分别与阵列基板上的各条栅线相连，从而实现对栅线的扫描驱动。

GOA阵列基板的制作过程大致为：首先在衬底基板上制作TFT，该些TFT包括位于显示区域TFT 101阵列和位于GOA区域12的用于构成GOA单元的GOA区域TFT 102(如图1所示)，然后在GOA区域12制作第一过孔103和第二过孔104，之后沉积导电薄膜并形成需要的图形：在显示区域11的导电薄膜105形成为像素电极或者公共电极，在GOA区域12的导电薄膜106通过第一过孔103电连接GOA单元中的各TFT102，通过第二过孔104实现外部驱动电路与阵列基板上的各元件(数据线、GOA单元等)的绑定。

GOA区域的导电薄膜106位于最上方，显露在外面，在显示装置的长期使用过程中，GOA单元中的第一过孔103上方及周围的导电薄膜106长时间处于低电位的工作状态，并且位于靠近封框胶的位置，容易受到外部电磁干扰，并且经常处于高温、高湿、污染、应力等环境下，造成该位置处的导电薄膜106容易发生电化学腐蚀，导电薄膜106劣化甚至烧毁，最终引起屏幕显示异常。

发明内容

本发明提供一种阵列基板、显示装置及阵列基板的制备方法，能够解决现有技术存在的GOA区域上的导电薄膜易受外部电磁干扰和易受腐蚀的问题。

为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：提供一种阵列基板，该阵列基板包括显示区域和GOA区域。显示区域包括显示区域TFT，所述显示区域交叉设置有数据线、栅线、下层透明电极和上层透明电极；GOA区域包括GOA区域TFT、GOA区域电极层和电路保护层，所述GOA区域设置有至少一个第一过孔和至少一个第二过孔，所述第一过孔的底部为数据线金属层，所述第二过孔的底部为栅线金属层；所述GOA区域电极层通过所述第一过孔与所述GOA区域TFT电连接，所述GOA区域电极层通过所述第二过孔与外部驱动电路电连接，其中，所述GOA区域电极层与所述下层透明电极利用同层同构图工艺形成，所述电路保护层与所述上层透明电极利用同层同构图工艺形成；所述显示区域和所述GOA区域之上覆盖有第一绝缘层和第二绝缘层；所述下层透明电极设在所述第一绝缘层和所述第二绝缘层之间，所述上层透明电极设在第二绝缘层之上；所述电路保护层覆盖在所述GOA区域的上方，用于屏蔽外部电磁干扰及保护所述GOA区域的电路免受腐蚀；其中，所述GOA区域电极层与所述下层透明电极同层，所述电路保护层与所述上层透明电极同层；所述下层透明电极为像素电极，所述上层透明电极为公共电极；或者，所述下层透明电极为公共电极，所述上层透明电极为像素电极。

其中，所述GOA区域电极层和所述电路保护层均为透明导电薄膜。

为解决上述技术问题，本发明采用的另一个技术方案是：提供一种显示装置，该显示装置包括上述阵列基板。