[发明专利]设计半导体装置的布局的方法

说明书

公开了一种设计半导体装置的布局的方法。所述方法包括如下操作：由布局设计系统通过自对准双图案化工艺接收与目标芯片的尺寸和用于形成栅极线的单位布置宽度有关的信息。所述方法还包括：在所述目标芯片处分配输入和输出区、硬宏区以及标准单元区；通过应用栅极生成规则来调节所述标准单元区的宽度，所述栅极生成规则用于将位于所述标准单元区中的至少一个单元行的宽度设定为所述单位布置宽度的奇数倍。所述单位布置宽度对应于自对准双图案化工艺中的一对栅极线的中心之间的宽度。

要求于2014年9月18日在美国专利商标局提交的第62/052,076号美国专利临时申请和于2015年3月10日在韩国知识产权局提交的第10-2015-0033280号韩国专利申请的优先权，上述专利申请的全部内容通过引用全部包含于此。

技术领域

在此描述的发明构思的示例实施例涉及一种半导体装置，更具体地讲，涉及一种设计半导体装置的布局的方法。

背景技术

诸如智能手机、平板个人电脑(PC)、数码相机、MP3播放器和个人数字助理(PDA)的移动装置的使用正在显著增加。随着这种移动装置中多媒体的驱动和各种数据的吞吐量增加，高速处理器大规模应用于移动装置。可以在移动装置上驱动各种应用程序。为了驱动各种应用程序，在移动装置中使用诸如工作存储器(例如，DRAM)、非易失性存储器和应用处理器(AP)的半导体装置。

光刻设备可以相较于设计规则的缩小版而飞快发展。因此，正在对实现比使用光刻设备实现的最小节距和/或期望节距更小的节距的方法的示例实施例进行研究。在至少一个示例实施例中，上述方法包括自对准双图案化(在下文中称为“SADP”)工艺。可以使用SADP工艺来形成比使用光刻设备实现的最小节距和/或期望节距更小的节距的结构。因此，可以通过使用SADP工艺来容易地形成具有超出光刻设备限制的精细图案或高集成度的半导体装置。

当执行用于SADP的布局设计时，观察到基于SADP的特性的约束条件。发明构思的示例实施例可以提供用于容易地实现使用SADP工艺制造的半导体装置的布局的设计和验证方法。

发明内容

在发明构思的至少一个示例实施例中，形成能够满足布局设计的约束条件的设计的方法是基于半导体装置的双图案化工艺和布局设计系统。

在发明构思的至少一个示例实施例中，一种设计半导体装置的布局的方法包括如下操作：通过布局设计系统接收与目标芯片的尺寸以及用于通过SADP工艺形成栅极线的单位布置宽度有关的信息；在所述目标芯片处分配输入和输出区、硬宏区以及标准单元区；通过应用栅极生成规则来调节所述标准单元区的宽度，所述栅极生成规则用于将位于所述标准单元区中的至少一个单元行的宽度设定为所述单位布置宽度的奇数倍。所述单位布置宽度对应于SADP工艺中的一对栅极线的中心之间的宽度。

根据发明构思的另一示例实施例，一种设计应用SADP工艺的半导体装置的布局的方法包括如下操作：接收芯片的尺寸和设计规则；在芯片处分配标准单元区和至少一个硬宏区；调节标准单元区的每个单元行的宽度以将所述宽度设定为形成有一对栅极线的单位布置宽度的奇数倍。

根据发明构思的又一示例实施例，一种用来设计半导体装置的布局的基于计算机的系统包括：输入和输出装置，用于接收半导体装置的几何信息或设计规则；工作存储器，被构造为加载栅极生成模块，所述栅极生成模块用于根据SADP工艺和被构造为产生半导体装置的布局的布局布线工具来生成将要被形成的栅极线；中央处理单元，被构造为基于从输入和输出装置提供的信息来运行布局布线工具和栅极生成模块，其中，栅极生成模块将分配给半导体装置的标准单元区的每个单元行的宽度设定为单位布置宽度的奇数倍。