[发明专利]含光学微腔结构的QLED及其制备方法

权利要求书

1.一种含光学微腔结构的QLED，包括依次层叠设置的第一电极、量子点发光层和第二电极，其中，所述第一电极、所述第二电极分别为阳极和阴极；或所述第一电极、所述第二电极分别为阴极和阳极，其特征在于，还包括设置在所述第一电极背离所述量子点发光层一侧的光学微腔结构，所述光学微腔结构由一个干涉单元或多个层叠设置的干涉单元构成，所述干涉单元包括第一折射率层和层叠设置在所述第一折射率层上的第二折射率层，其中，所述第一折射率层的折射率大于第二折射率层的折射率，且所述第一电极层叠设置在所述第二折射率层上。

2.如权利要求1所述的含光学微腔结构的QLED，其特征在于，所述第二电极为金属电极。

3.如权利要求1所述的含光学微腔结构的QLED，其特征在于，所述第一电极、所述第一折射率层和所述第二折射率层的厚度单独为所述量子点发光层中量子点发射波长的1/4。

4.如权利要求1-3任一所述的含光学微腔结构的QLED，其特征在于，所述光学微腔结构由3-10个层叠设置的干涉单元构成。

5.如权利要求1-3任一所述的含光学微腔结构的QLED，其特征在于，所述含光学微腔结构的QLED还包括空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层中的至少一层。

6.如权利要求5所述的含光学微腔结构的QLED，其特征在于，包括依次层叠设置的光学微腔结构、第一电极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、电子注入层和第二电极，其中，第一电极为阳极，第二电极为阴极。

7.如权利要求5所述的含光学微腔结构的QLED，其特征在于，包括依次层叠设置的光学微腔结构、第一电极、电子注入层、电子传输层、量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层和第二电极，其中，第一电极为阴极，第二电极为阳极。

8.如权利要求1-7任一所述的含光学微腔结构的QLED的制备方法，包括以下步骤：

提供一硬质衬底；

在所述硬质衬底上交替沉积两种不同折射率的材料层，获得光学微腔结构；

在所述光学微腔结构上依次沉积第一电极、量子点发光层和第二电极，

其中，所述第一电极、所述第二电极分别为阳极和阴极；或

所述第一电极、所述第二电极分别为阴极和阳极。

9.如权利要求8所述的含光学微腔结构的QLED的制备方法，其特征在于，还包括沉积空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层中的至少一层。