[发明专利]含光学微腔结构的QLED及其制备方法

说明书

技术领域

本发明属于量子点发光二极管领域，尤其涉及一种含光学微腔结构的QLED及其制备方法。

背景技术

随着经济与技术的不断发展，人们对电子产品的显示质量要求越来越高。经过多年的开发，量子点发光二极管(QLED)这一新型显示技术逐渐走进了人们的视线。QLED以薄层量子点为发光层，具有主动发光、高亮度、高色纯度、长寿命、低功耗、加工工艺简单、制作成本低廉等一些列优点，是下一代高性能显示与照明技术的发展方向。如图1所示，常见的QLED通常包括以下功能层：阳极1’、空穴注入层2’、空穴传输层3’、量子点发光层4’、电子传输层5’、电子注入层6’和阴极7’。一般认为，QLED的性能由上述功能层及其制备工艺共同决定，一旦材料与工艺被确定，QLED器件的性能很难有大幅度的提升空间。

由于QLED器件中两个电极之间所有各功能层的厚度仅为100nm左右，基本上与发光波长同数量级，因此，合理设计QLED的光学结构，有望大幅度改善QLED的性能。

发明内容

本发明的目的在于提供一种含光学微腔结构的QLED，旨在通过从光学结构方面的改变来提高QLED的性能。

本发明的另一目的在于提供一种含光学微腔结构的QLED的制备方法。

本发明是这样实现的，包括依次层叠设置的第一电极、量子点发光层和第二电极，其中，所述第一电极、所述第二电极分别为阳极和阴极；或所述第一电极、所述第二电极分别为阴极和阳极，还包括设置在所述第一电极背离所述量子点发光层一侧的光学微腔结构，所述光学微腔结构由一个干涉单元或多个层叠设置的干涉单元构成，所述干涉单元包括第一折射率层和层叠设置在所述第一折射率层上的第二折射率层，其中，所述第一折射率层的折射率大于第二折射率层的折射率，且所述第一电极层叠设置在所述第二折射率层上。

以及，一种含光学微腔结构的QLED的制备方法，包括以下步骤：

提供一硬质衬底；

在所述硬质衬底上交替沉积两种不同折射率的材料层，获得光学微腔结构；

在所述光学微腔结构上依次沉积第一电极、量子点发光层和第二电极，

其中，所述第一电极、所述第二电极分别为阳极和阴极；或

所述第一电极、所述第二电极分别为阴极和阳极。

本发明提供的含光学微腔结构的QLED，通过引入干涉单元形成光学微腔结构，使得QLED的发射光在所述光学微腔结构经过多次往返反射，增加了发射光的发光强度，从而提高了QLED的亮度；同时，由于发光光谱的窄化，使得QLED色纯度大幅提高，从而有利于获得广色域、高亮度的全彩量子点显示器件。

本发明提供的含光学微腔结构的QLED，只需在硬质衬底上交替沉积两种不同折射率的材料层并可获得光学微腔结构，进而在所述光学微腔结构上沉积各功能层，获得QLED。该方法操作简单易控，成本低廉，易于实现产业化，有很好的市场前景。

附图说明

图1是现有技术提供的QLED结构示意图；

图2是光分别在不含光学微腔结构和含光学微腔结构下的出射示意图；

图3是本发明实施例提供的含光学微腔结构的QLED结构示意图；

图4是本发明实施例提供的第一电极为阳极、第二电极为阴极的含光学微腔结构的QLED结构示意图；

图5是本发明实施例提供的第一电极为阴极、第二电极为阳极的含光学微腔结构的QLED结构示意图。

具体实施方式

为了使本发明要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

结合图2-5，本发明实施例提供了一种含光学微腔结构的QLED，包括依次层叠设置的第一电极1、量子点发光层4和第二电极7，其中，所述第一电极1、所述第二电极7分别为阳极和阴极；或所述第一电极1、所述第二电极7分别为阴极和阳极，还包括设置在所述第一电极1背离所述量子点发光层4一侧的光学微腔结构8，所述光学微腔结构8由一个干涉单元81或多个层叠设置的干涉单元81构成，所述干涉单元81包括第一折射率层811和层叠设置在所述第一折射率层811上的第二折射率层812，其中，所述第一折射率层811的折射率大于第二折射率层812的折射率，且所述第一电极1层叠设置在所述第二折射率层812上，如图2所示。