[发明专利]基板处理装置以及基板处理方法有效
申请号: | 201510599007.4 | 申请日: | 2015-09-18 |
公开(公告)号: | CN105448662B | 公开(公告)日: | 2018-10-02 |
发明(设计)人: | 藤原直澄;江户彻;菅原雄二;阿野诚士;泽岛隼 | 申请(专利权)人: | 株式会社思可林集团 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/67 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 董雅会;向勇 |
地址: | 日本国京*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 以及 方法 | ||
1.一种基板处理装置,其特征在于,具有:
旋转保持部,一边水平地保持基板一边使该基板旋转,
第一喷嘴,将处理液与被加压的气体混合来生成所述处理液的液滴的喷流,向所述基板的上表面沿着铅垂方向喷射所述液滴的喷流,
第二喷嘴,向所述基板的上表面喷出所述处理液的连续流,
喷嘴移动部,一边保持所述第一喷嘴与所述第二喷嘴的位置关系恒定,一边使所述第一喷嘴和所述第二喷嘴在所述基板的上方一体地移动;
所述喷嘴移动部以使所述液滴的喷流在所述基板上的着落位置经过所述基板的旋转中心的方式移动所述第一喷嘴,
在所述位置关系中,当所述第一喷嘴位于所述基板的周缘部的上方时,所述连续流在所述基板上的着落位置位于比所述液滴的喷流的着落位置更靠所述基板的旋转中心侧的位置,
所述基板的旋转轨迹上的所述液滴的喷流的着落位置和所述连续流的着落位置这两者的移动路径不同,和/或所述连续流和所述液滴的喷流这两者的流向不同,
所述这两者的移动路径的不同是由于当所述第一喷嘴位于所述基板的周缘部的上方时,所述连续流的着落位置位于比所述液滴的喷流的着落位置的移动路径更靠所述基板的旋转方向的下游侧的位置,
所述这两者的流向的不同是由于所述连续流的方向相对于铅垂方向以越接近所述基板则所述液滴的喷流与所述连续流之间的间隔越宽的方式倾斜。
2.如权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,所述这两者的移动路径相互重合,并且所述这两者的流向不同。
3.一种基板处理方法,其特征在于,包括:
第一步骤,一边水平地保持基板一边使该基板旋转,
第二步骤,混合处理液与被加压的气体来生成所述处理液的液滴的喷流,与所述第一步骤并行地沿着铅垂方向朝向所述基板的上表面喷射所述液滴的喷流,
第三步骤,与所述第一步骤以及第二步骤并行地向所述基板的上表面喷出所述处理液的连续流,
第四步骤,一边保持所述液滴的喷流与所述连续流的位置关系恒定,一边与所述第一~第三步骤并行地使所述液滴的喷流和所述连续流在所述基板上一体地移动;
在所述第四步骤中,以所述液滴的喷流在所述基板上的着落位置经过所述基板的旋转中心的方式使所述液滴的喷流移动,
在所述位置关系中,当所述液滴的喷流的着落位置位于所述基板的周缘部时,所述连续流在所述基板上的着落位置位于比所述液滴的喷流的着落位置更靠所述基板的旋转中心侧的位置,
所述基板的旋转轨迹上的所述液滴的喷流的着落位置和所述连续流的着落位置这两者的移动路径不同,和/或所述连续流和所述液滴的喷流这两者的流向不同,
所述这两者的移动路径的不同是由于当所述液滴的喷流的着落位置位于所述基板的周缘部时,所述连续流的着落位置位于比所述液滴的喷流的着落位置的移动路径更靠所述基板的旋转方向的下游侧的位置,
所述这两者的流向的不同是由于所述连续流的方向相对于铅垂方向以越接近所述基板则所述液滴的喷流与所述连续流之间的间隔越宽的方式倾斜。
4.如权利要求3所述的基板处理方法,其特征在于,所述这两者的移动路径相互重合,并且所述这两者的流向不同。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造