[发明专利]基板处理装置以及基板处理方法

说明书

本发明涉及抑制产生处理残留物和产生液体飞溅的基板处理装置及其方法。该装置具有基板的旋转保持部、沿着大致铅垂方向喷射处理液的液滴的喷流的第一喷嘴、喷出处理液的连续流的第二喷嘴、使第一喷嘴和第二喷嘴一体移动的喷嘴移动部。当第一喷嘴位于基板的周缘部的上方时，连续流的着落位置比液滴的喷流的着落位置更靠旋转中心侧。而且，液滴的喷流的着落位置和连续流的着落位置这两者的移动路径不同，和/或连续流和液滴的喷流这两者的流向不同。这两者的移动路径不同是因当第一喷嘴位于基板的周缘部的上方时，连续流的着落位置比液滴的喷流的着落位置的移动路径更靠旋转方向的下游侧。这两者的流向不同是因连续流相对于铅垂方向倾斜。

技术领域

本发明涉及一种通过一边使基板旋转一边向基板供给处理液来处理基板的基板处理技术。作为处理对象的基板包括半导体晶圆、液晶显示装置用玻璃基板、等离子显示面板用玻璃基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板以及光掩膜用基板等各种基板。

背景技术

在如这样的基板的制造工艺中，例如在专利文献1、2中披露了如下的处理基板的装置。该处理基板的装置具有：双流体喷嘴和向基板上喷出处理液的连续流的喷嘴(也称为“直喷嘴”)。该双流体喷嘴是将处理液与被加压的气体混合来生成处理液的液滴的喷流，向基板喷射生成的液滴的喷流。通过使这些喷嘴沿着基板的上方的同一路径相隔规定的间隔一体地进行扫描，来处理基板。

专利文献1的基板处理装置在从直喷嘴沿着铅垂方向朝向基板喷出比较少量的纯水等清洗液的连续流，来利用清洗液浸湿基板表面的状态下，从双流体喷嘴沿着铅垂方向朝向基板喷出比较大量的清洗液的雾来清洗基板。通过这样，与向干燥的基板喷出清洗液的雾的情况相比，能够抑制雾从基板表面飞散，防止产生因飞散的清洗液的雾附着于基板而导致的水印状的缺陷。另外，该装置在双流体喷嘴与直喷嘴之间具有遮挡板。通过这样，该装置避免因清洗液的连续流和清洗液的雾在到达基板表面为止的路径途中相互干扰而导致的清洗液的雾飞散。进一步地，该装置还通过沿着铅垂方向喷出用于浸湿基板表面的清洗液的连续流，来降低向基板上喷出的该连续流的水平方向的动能，以此防止基板表面的清洗液的飞散。

另外，在专利文献1中披露了如下的一种基板处理装置作为变形例。该基板处理装置使直喷嘴和双流体喷嘴一体地进行扫描。该直喷嘴沿着铅垂方向朝向基板喷出比较少量的清洗液的连续流。该双流体喷嘴沿着倾斜方向朝向被该连续流浸湿的基板喷出比较大量的清洗液的雾。在该变形例中，在直喷嘴与双流体喷嘴之间设有沿着倾斜方向延伸的遮挡板，在该遮挡板上安装有双流体喷嘴。由此，即使是变形例的装置也可以防止清洗液的连续流和清洗液的雾在到达基板表面为止的路径途中相互干扰而引起清洗液的雾飞散。

专利文献2的基板处理装置通过从直喷嘴沿着铅垂方向朝向基板喷出臭氧水等氧化性处理液的连续流，在形成于基板上的氧化膜上从双流体喷嘴沿着铅垂方向朝向基板喷射氢氟酸等蚀刻液的液滴的喷流，来将基板上的异物与氧化膜一起除去。该装置由于直喷嘴和双流体喷嘴一体地扫描，所以与使喷出氧化性处理液的直喷嘴扫描来完成基板上表面的整个区域的氧化处理之后，使喷射蚀刻液的液滴的喷流的双流体喷嘴扫描来进行基板上表面的整个区域的蚀刻处理的情况相比，能够缩短基板的处理时间。

专利文献1：JP特开2003-209087号公报

专利文献2：JP特开2005-86181号公报

在使用通过与蚀刻液等化学反应处理来对形成于基板上的膜进行处理的处理液的情况下，通常，当处理液处于高温时，处理液的反应活性变高。因此，在蚀刻处理中，通过向处理对象的基板表面供给设定在反应活性较高的温度的大量的蚀刻液，来谋求提高蚀刻率。另外，在有些情况下，因蚀刻液与膜的化学反应导致膜的表面产生气泡。当产生气泡时，该产生气泡的部分的反应不继续进行而产生蚀刻残留物。若供给至基板上的蚀刻液处于高温，则蚀刻液的反应活性变高，所以气泡的产生量变多。因此，在蚀刻处理中，为了有效地避免产生蚀刻残留物，在蚀刻液形成于基板上的液膜处于高温的状态下，需要通过搅拌该液膜使气泡移动，防止气泡停留在膜的表面。