[发明专利]阵列基板及其制造方法、显示装置有效
申请号: | 201510599628.2 | 申请日: | 2015-09-18 |
公开(公告)号: | CN105140241B | 公开(公告)日: | 2018-02-02 |
发明(设计)人: | 肖志莲;刘冲;裴晓光;田英华;赵海生;彭志龙 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司11138 | 代理人: | 鞠永善 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 及其 制造 方法 显示装置 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,所述阵列基板包括:
衬底基板;
所述衬底基板上形成有包含至少一个凸起的铺垫层;
形成有所述铺垫层的衬底基板上形成有数据线,所述数据线在所述铺垫层的正投影与所述凸起存在重叠区域。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,
所述铺垫层包括:多个栅极和多个栅线;
每个所述栅极与一个栅线连接,至少一个所述栅线远离所述栅极的一侧设置有阵列排布的多个凸起,所述凸起的高度方向与所述栅线的宽度方向平行。
3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,
至少一个所述栅极上远离栅线的一侧设置有凸起。
4.根据权利要求2或3所述的阵列基板,其特征在于,
所述铺垫层还包括:多个公共电极线,
至少一个所述公共电极线两侧设置有阵列排布的多个凸起。
5.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,
每个所述栅线远离所述栅极的一侧设置有阵列排布的多个凸起;
每个所述公共电极线两侧设置有阵列排布的多个凸起。
6.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,
所述衬底基板上形成有包含至少一个凸起的所述铺垫层,所述铺垫层上的凸起以垫层加高的方式形成,所述凸起的高度方向与所述铺垫层的厚度方向平行。
7.根据权利要求6所述的阵列基板,其特征在于,
所述铺垫层包括:栅极绝缘层,所述栅极绝缘层上设置有阵列排布的多个凸起,所述栅极绝缘层上的凸起以垫层加高的方式形成,所述凸起的高度方向与所述栅极绝缘层的厚度方向平行。
8.根据权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,
所述凸起为圆弧形凸起,所述圆弧形凸起的宽度大于或等于所述数据线的宽度。
9.根据权利要求7所述的阵列基板,其特征在于,
所述凸起为方形凸起,所述方形凸起的宽度大于或等于所述数据线的宽度。
10.一种阵列基板的制造方法,其特征在于,所述阵列基板的制造方法包括:
在衬底基板上形成包含至少一个凸起的铺垫层;
在形成有所述铺垫层的衬底基板上形成数据线,所述数据线在所述铺垫层的正投影与所述凸起存在重叠区域。
11.根据权利要求10所述的阵列基板的制造方法,其特征在于,所述在衬底基板上形成包含至少一个凸起的铺垫层,包括:
采用单色掩膜板在所述衬底基板上形成多个栅极和多个栅线,每个所述栅极与一个栅线连接,至少一个所述栅线远离所述栅极的一侧设置有阵列排布的多个凸起,所述凸起的高度方向与所述栅线的宽度方向平行。
12.根据权利要求11所述的阵列基板的制造方法,其特征在于,
至少一个所述栅极上远离栅线的一侧设置有凸起。
13.根据权利要求11或12所述的阵列基板的制造方法,其特征在于,所述采用单色掩膜板在所述衬底基板上形成多个栅极和多个栅线,包括:
采用单色掩膜板在所述衬底基板上形成多个栅极、多个栅线和多个公共电极线,至少一个所述公共电极线两侧设置有阵列排布的多个凸起。
14.根据权利要求13所述的阵列基板的制造方法,其特征在于,
每个所述栅线远离所述栅极的一侧设置有阵列排布的多个凸起;
每个所述公共电极线两侧设置有阵列排布的多个凸起。
15.根据权利要求10所述的阵列基板的制造方法,其特征在于,所述在衬底基板上形成包含至少一个凸起的铺垫层,包括:
采用多色掩膜板以垫层加高的方式,在所述衬底基板上形成包含至少一个凸起的铺垫层,所述凸起的高度方向与所述铺垫层的厚度方向平行。
16.根据权利要求15所述的阵列基板的制造方法,其特征在于,所述在衬底基板上形成包含至少一个凸起的铺垫层,包括:
采用多色掩膜板以垫层加高的方式,在所述衬底基板上形成栅极绝缘层,所述栅极绝缘层上设置有阵列排布的多个凸起,所述凸起的高度方向与所述栅极绝缘层的厚度方向平行。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的