[发明专利]一种显示基板及其制作方法、显示装置有效
申请号: | 201510599701.6 | 申请日: | 2015-09-18 |
公开(公告)号: | CN105140242B | 公开(公告)日: | 2018-02-13 |
发明(设计)人: | 蒋学兵;张然;高吉磊 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 及其 制作方法 显示装置 | ||
1.一种显示基板,包括相对设置的第一基板和第二基板,所述第一基板包括第一区域和第二区域,所述第一基板上位于所述第一区域内的功能层的总厚度比位于所述第二区域内的功能层的总厚度薄;其特征在于,
在所述第一基板与所述第二基板之间设有厚度补偿层,所述厚度补偿层与所述第一区域对应,所述厚度补偿层和所述第一区域内的功能层的总厚度与所述第二区域内的功能层的总厚度相等;
所述第二基板上设置有隔垫物层,所述隔垫物层与所述第一基板的所述第一区域和/或所述第二区域接触。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述第一基板上依次叠加设置有图形化的公共电极层和栅线层,所述厚度补偿层位于所述第一区域内的栅线与所述第一基板之间,所述厚度补偿层与所述公共电极层同层设置但互不相连。
3.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述第一基板上依次叠加设置有图形化的公共电极层、栅线层、栅极绝缘层、有源层、源漏极层、钝化层和像素电极层,所述厚度补偿层位于所述第一区域内的所述钝化层上,且所述厚度补偿层与所述像素电极层同层设置但互不相连。
4.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述第一基板上依次叠加设置有图形化的公共电极层、栅线层、栅极绝缘层、有源层、源漏极层、钝化层和像素电极层;
所述厚度补偿层包括:第一补偿层和第二补偿层,其中,所述第一补偿层位于所述第一区域内的栅线与所述第一基板之间,所述第一补偿层与所述公共电极层同层设置但互不相连,所述第二补偿层位于所述第一区域内的所述钝化层上,且所述第二补偿层与所述像素电极层同层设置但互不相连。
5.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述第二基板上依次叠加设置有图形化的黑矩阵层、彩膜层和隔垫物层,所述厚度补偿层位于所述第二基板上与所述第一区域对应的区域内的隔垫物层上。
6.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述功能层包括金属功能层。
7.根据权利要求1-6任一所述的显示基板,其特征在于,所述第一基板的上方设置有多个隔垫物枕垫,多个所述隔垫物枕垫与源漏极层同层设置但互不相连,所述厚度补偿层包括与位于第一区域内的所述隔垫物枕垫一一对应的厚度补偿垫,且位于所述第一区域内的所述隔垫物枕垫在所述第一基板上的正投影落入对应的所述厚度补偿垫在所述第一基板上的正投影内。
8.一种显示装置,其特征在于,所述显示装置设置有如权利要求1-7任一所述的显示基板。
9.一种显示基板的制作方法,其特征在于,包括:
提供第一基板与第二基板,所述第一基板包括第一区域和第二区域,所述第一基板上位于所述第一区域内的功能层的总厚度比位于所述第二区域内的功能层的总厚度薄;
在所述第一基板上的所述第一区域内形成厚度补偿层,或/和,在所述第二基板上与所述第一区域对应的区域内形成所述厚度补偿层,所述厚度补偿层和所述第一区域内的功能层的总厚度与所述第二区域内的功能层的总厚度相等;
在所述第二基板上形成隔垫物层,所述隔垫物层与所述第一基板的所述第一区域和/或所述第二区域接触。
10.根据权利要求9所述的显示基板的制作方法,其特征在于,在所述第一基板上的所述第一区域内形成所述厚度补偿层包括:
在所述第一基板上沉积公共电极薄膜层;
通过一次构图工艺,形成互不相连的所述公共电极层和所述厚度补偿层,其中,所述厚度补偿层位于所述第一区域内的栅线与所述第一基板之间。
11.根据权利要求9所述的显示基板的制作方法,其特征在于,在所述第一基板上的所述第一区域内形成所述厚度补偿层包括:
在所述第一基板上依次叠加形成图形化的公共电极层、栅线层、栅极绝缘层、有源层、源漏极层以及钝化层;
在所述钝化层上沉积像素电极薄膜层;
通过一次构图工艺,形成互不相连的所述像素电极层和所述厚度补偿层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的