[发明专利]基于苯硼酸印迹聚合物/碳纳米管修饰电极及其制备方法和应用有效
申请号: | 201510603661.8 | 申请日: | 2015-09-21 |
公开(公告)号: | CN105223248B | 公开(公告)日: | 2018-04-06 |
发明(设计)人: | 王春蕾;王琪;钟敏;阚显文 | 申请(专利权)人: | 安徽师范大学 |
主分类号: | G01N27/30 | 分类号: | G01N27/30 |
代理公司: | 北京润平知识产权代理有限公司11283 | 代理人: | 张苗,罗攀 |
地址: | 241002 安徽省芜*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 硼酸 印迹 聚合物 纳米 修饰 电极 及其 制备 方法 应用 | ||
技术领域
本发明涉及电极的生产制备领域,具体地,涉及一种基于苯硼酸印迹聚合物/碳纳米管修饰电极及其制备方法和应用。
背景技术
近年来,分子印迹技术发展迅速,由于其卓越的选择性识别分子的能力而逐步取代了生物传感中的酶和抗体,且其还具备性能稳定、成本低廉、易于制备等优点,被广泛应用于仿生传感、色谱分离、酶模拟、药物分析和手性拆分等领域。
芦丁是一种具有邻二羟基结构的类黄酮衍生物,常用于治疗渗透性出血,具有降低毛细血管脆性、减少血液中的脂肪和胆固醇含量的作用。目前已经有许多检测芦丁的相关报道,但是检测过程复杂,高成本低信号,而且选择性差。
因此,提供一种能对芦丁进行特异性识别,具有较高的抗干扰能力,并能对芦丁进行灵敏的定量检测,制备简单且成本低廉的基于苯硼酸印迹聚合物/碳纳米管修饰电极及其制备方法是本发明亟需解决的问题。
发明内容
针对上述现有技术,本发明的目的在于克服现有技术中对于芦丁的检测往往过程复杂,高成本低信号,且选择性差的问题,从而提供一种能对芦丁进行特异性识别,具有较高的抗干扰能力,并能对芦丁进行灵敏的定量检测,制备简单且成本低廉的基于苯硼酸印迹聚合物/碳纳米管修饰电极及其制备方法。
为了实现上述目的,本发明提供了一种基于苯硼酸印迹聚合物/碳纳米管修饰电极的制备方法,其中,所述制备方法包括:
1)在玻碳电极表面沉积碳纳米管,制得碳纳米管修饰电极;
2)将步骤1)中制得的碳纳米管修饰电极置于含有3-氨基苯硼酸和芦丁的缓冲液中,采用循环伏安法制得3-氨基苯硼酸修饰电极;
3)将3-氨基苯硼酸修饰电极进行洗脱,制得基于苯硼酸印迹聚合物/碳纳米管修饰电极。
本发明还提供了一种根据上述所述的制备方法制得的基于苯硼酸印迹聚合物/碳纳米管修饰电极。
本发明还提供了一种根据上述所述的基于苯硼酸印迹聚合物/碳纳米管修饰电极在检测芦丁中的应用。
通过上述技术方案,本发明首先在玻碳电极表面恒电位沉积碳纳米管,从而通过这种方式提高芦丁在反应过程中电子的传递速率,增大响应电流,提高检测的灵敏度;而后再在碳纳米管修饰电极表面以3-氨基苯硼酸为功能单体、以芦丁为模板分子制备3-氨基苯硼酸修饰电极,进而通过硼酸基团仅与邻二羟基结构的分子在碱性条件下发生共价结合的原理,先排除非邻二羟基化合物的干扰;再次将3-氨基苯硼酸修饰电极进行洗脱,从而通过3-氨基苯硼酸在电聚合的条件下形成的致密的聚合物膜,经过电化学洗脱后形成与模板分子三维结构互补的印迹空穴,从而降低其它邻二羟基结构物质的干扰,进而通过上述方式实现对芦丁进行特异性识别,具有较高的抗干扰能力,并能对芦丁进行灵敏的定量检测,制备简单且成本低廉的效果。
本发明的其他特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。
附图说明
附图是用来提供对本发明的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与下面的具体实施方式一起用于解释本发明,但并不构成对本发明的限制。在附图中:
图1是实施例1提供的一种反应机理图;
图2是实施例1中制得的碳纳米管修饰电极的电镜扫描图;
图3是实施例1中制得的A1的电镜扫描图;
图4是A1-A5的电流信号检测示意图;
图5是A1、A6-A8的电流信号检测示意图;
图6是A1、A9-A11的电流信号检测示意图;
图7是检测例2中的检测结果示意图;
图8是A1、D1和D2在检测芦丁前和检测芦丁后的循环伏安曲线图;
图9是A1置于实施例所提供的各浓度芦丁溶液中的循环伏安曲线图;
图10是实施例中所述提供的芦丁浓度曲线方程图。
附图标记说明
1玻碳电极2碳纳米管
33-氨基苯硼酸4芦丁
具体实施方式
以下对本发明的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是,此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本发明,并不用于限制本发明。
本发明提供了一种基于苯硼酸印迹聚合物/碳纳米管修饰电极的制备方法,其中,所述制备方法包括:
1)在玻碳电极表面沉积碳纳米管,制得碳纳米管修饰电极;
2)将步骤1)中制得的碳纳米管修饰电极置于含有3-氨基苯硼酸和芦丁的缓冲液中,采用循环伏安法制得3-氨基苯硼酸修饰电极;
3)将3-氨基苯硼酸修饰电极进行洗脱,制得基于苯硼酸印迹聚合物/碳纳米管修饰电极。
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